快科技 10 月 25 日消息，Intel 在先进半导体工艺上终于追上来了，18A 工艺已经对标台积电 N2 工艺，下一代的 14A 工艺技术指标跟台积电的 A14 差距在 5% 以内，量产进度甚至有可能提前一年半载。

只不过 Intel 不会停留在追赶阶段上，未来肯定想着反超台积电，毕竟过去几十年中 Intel 一直都是全球工艺最先进的半导体公司，只不过 14nm 之后被台积电抢先了。

接下来的几年中，Intel 的重点是改进 18A-P 工艺，量产 14A 及 14A-P 工艺，High NA EUV 光刻技术更成熟，解决光罩面积缩水导致的一系列问题，在产能及效率上跟台积电竞争代工市场。

再往后还有针对下一个 10 年到 20 年的技术布局，在前几天的 Dwarkesh Podcast 访谈节目中，Intel CTO、制程工艺负责人 Chris Auth、Jack Kavalieros 等人也透露了面向 2045 年的技术路线。

这里面涉及多个方向的技术变化，晶体管结构会从 GAA 转向 CFET 互补场效应晶体管，该结构会把 P、N 垂直堆叠，进一步提高晶体管密度，但也有刻蚀、良率及散热等方面的挑战。

材料方面，随着金属线越来越窄，传统的铜线也面临电阻等方面的挑战，Intel 表示希望用稀有金属钌替代铜，不过也不是所有线路都能替代，铜线依然有用武之地。

在晶体管及材料之外，芯片封装技术的地位也会愈发重要，Hybrid bonding 混合键合可以做到更精细的间距，从而实现更高的带宽，也是绕不过去的技术选项。

Intel 布局 2045 年之后的技术并不是现在才出现的，至少在 2018、2019 年就有过多次报道了，而 2045 年这个时间点也是之前 IMEC 比利时微电子中心公布过的芯片工艺路线图上的节点，细节比 Intel 这次公布的还多，那个时候至少是 A2 节点以内，也就是 0.2nm 以下，晶体管甚至还要从 CFET 升级到 2DFET 二维晶体管。

只不过这距离现在还有 20 年时间，很多东西变数比较多，最终能不能实现也是未知数。