快科技 10 月 22 日消息，据报道，英特尔 CEO 陈立武近日在接受媒体专访时，对全球先进芯片制造过度集中于台积电发出了明确警告，并罕见地给出了对中国芯片制造技术差距的判断。

陈立武指出，承担制造环节的晶圆代工企业不应由一两家公司垄断市场，而应更加分散。他明确表示，英特尔、台积电、三星以及日本 Rapidus 都有必要承担起扩充制造基础的责任。

这番表态的背景是，台积电目前在 7 纳米以下先进逻辑芯片代工市场的份额已接近九成，在整个晶圆代工市场的占有率也高达约 73%。陈立武直言，全球 AI 芯片 95% 的产能依赖一家企业，风险极高。

在采访中，陈立武被问及一个备受关注的问题：在美国制裁限制中国获取 EUV 光刻机的情况下，中国能否在五到十年内追上美国的先进芯片制造水平。

他的回答简短而直接：" 就目前来看，我认为并没有落后太多。" 陈立武还补充称，中国大陆拥有许多优秀人才，清华大学、北京大学等高校的研发能力不逊于麻省理工和斯坦福。

这一判断背后，折射出中国芯片产业极其惊人的追赶速度。在缺乏最先进 EUV 光刻机、面临严厉出口管制的极端受限环境下，中国不仅没有被甩开代差，反而通过架构创新和成熟工艺的深度挖掘，不断缩小与前沿水平的距离。

蔡司半导体业务负责人此前曾评估，中国在最新 EUV 技术上落后约 15 年。但陈立武的立场更侧重于竞争态势本身，他认为中美企业各有优势与短板，最终决定胜负的是谁能造出最满足客户需求的产品。

在中国大陆一侧，中芯国际的先进制程仍停留在 7 纳米级别。但华为等芯片设计企业正通过逻辑折叠技术，在 DUV 工艺条件下持续挖掘性能潜力，试图以架构创新弥补制程差距。