据媒体报道，Groq 正考虑将三维堆叠 DRAM 的封装技术应用于下一代芯片。这意味着将使用 DRAM 替代现有的 SRAM。业内人士将此举解读为通过摆脱目前以 SRAM 为中心的芯片设计来大幅提升芯片容量。据悉，SRAM 速度快但容量有限，而 DRAM 速度相对较慢，但更适合实现大容量芯片。3D 封装技术将多个半导体芯片垂直堆叠而非平放，从而形成一个完整的芯片，与传统的 2D 封装相比，能够减小芯片表面积并提高能效。（财联社）