快科技 10 月 14 日消息，据报道，英特尔前 CEO 帕特 · 基辛格近日接受专访时，再次对 HBM 发起猛烈抨击。他直言 HBM 是丑陋的内存，虽然这是目前能找到的最佳方案，但它真的太差劲了。

基辛格指出，HBM 的位密度非常低，同时面临海岸线带宽限制，以及功耗和散热等问题。DRAM 不喜欢高温，把所有数据集中在一个地方，对人工智能这种内存计算密集型工作负载来说简直是灾难。

基辛格提到的海岸线带宽问题，本质上是物理和架构瓶颈。HBM 采用宽而慢的架构，需要大量并行连接。HBM3/3E 总线宽度为 1024 位，HBM4 提升至 2048 位。

这种超宽总线在芯片布局上直接表现为边缘空间的争夺。  物理层接口占据了计算芯片边缘一块巨大的矩形硅片，正是这块硅片限制了芯片旁可放置的 HBM 堆叠数量。

此外，计算芯片通常只能分配两个边缘用于 HBM，其余两个边缘用于系统 I/O，进一步加剧了瓶颈。

热问题同样严峻。据韩国科学技术院的热分析，当 HBM 功耗超过约 30W 后，物理层接口自身产生的热量就会成为内存热应力的主要来源。

基辛格此前在 RAISE 峰会上就曾指出，HBM 的垂直堆叠设计容易产生热三明治现象，造成严重的散热难题。

与此同时，HBM 产能的扩张正在挤压普通 DRAM 的供应。HBM 芯片消耗的晶圆数量约为同等尺寸普通 DRAM 芯片的三倍。南亚科技指出，DRAM 短缺可能持续到 2028 年初。

尽管基辛格对 HBM 提出严厉批评，但他也承认这是目前能得到的最佳方案。SK 海力士作为 HBM 龙头，同样坦言 HBM 确实不是解决 AI 存储器瓶颈的最终解答。

随着 AI 运算需求持续暴增，业界正加速寻找 HBM 之后的新一代存储器架构。