快科技 10 月 5 日消息，据报道，泛林集团于当地时间 9 月 29 日提出一种自对准互补场效应晶体管（SA-CFET）架构，有望将 CMOS 晶体管继续推进至 1nm 及以下节点，为摩尔定律续命。

摩尔定律逼近物理极限，CFET 被视为关键突破口。 比利时微电子研究中心（imec）在 2026 年 7 月发布的制程路线图中预测，2038 年有望实现 0.3nm 等级工艺，并明确指出 CFET 垂直堆叠架构是突破物理极限、延续摩尔定律的核心方案。

CFET 即互补型场效应晶体管，是一种将 NMOS 和 PMOS 器件垂直堆叠的晶体管架构。相比传统将两类晶体管并排布置的方式，CFET 可以在相同平面面积内实现更高器件密度，同时增加有效沟道宽度并改善静电控制能力。

SA-CFET 的核心在于三个自对准工艺模块：SA-BPR（自对准埋入式电源轨）、SA-CT（自对准触点）和 SA-TSV（自对准硅通孔）。这些模块扩大了边缘放置误差窗口，同时缓解 CFET 垂直堆叠结构中的接触拥挤问题。

该架构采用非金属栅极切割设计和中间介质隔离（MDI）实现功函数分离，同时保持与 N3 规范的兼容性，包括 42nm 接触栅极间距和 21nm 金属间距。原本对套刻精度要求极高的步骤由此转化为自对准工艺，大幅降低了制造难度。

泛林集团 Semiverse Solutions 团队利用 SEMulator3D 数字孪生工艺建模对 SA-CFET 架构进行了验证。建模结果显示，该架构可构建 6T SRAM 单元以及 NOT、NAND、NOR 等逻辑单元。

6T SRAM 位单元面积仅为 0.0094 μ m ²，相比 N3 工艺缩小 52.7%，相比 A7 CFET 设计缩小 19%。工艺稳健性验证表明，所有关键接触层均具有至少 10nm 的套刻窗口，未出现开路或短路失效。