财联社 9 月 20 日电，在 2026 世界制造业大会上，长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产。据介绍，长鑫科技将内存阵列有源区半间距做到 11.95 纳米，存储器电容深宽比 45:1，核心动能区高度降至 6762 纳米，同时，第五代工艺平台的存储密度有了大幅提升，同等条件下，每张晶圆的产出，与上一代平台相比提升了 50% 以上。基于该平台打造的 24GB LPDDR5X 产品已经进入正式量产，全面进入国产主流旗舰手机。 （澎湃 · 新闻）