本文来源：时代周报

9 月 20 日，长鑫存储在世界制造业大会上正式宣布第五代 DRAM 技术平台（简称 "G5 平台 "）实现量产，同步展出基于该平台打造的大容量 LPDDR5X 新品。该平台工艺水平比肩行业顶尖量产工艺节点，是长鑫存储在高端存储技术路线上的里程碑式突破。

在关键工艺方面，G5 平台依托四重曝光技术把内存阵列的有源区半间距微缩至 11.95 纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。通过变革工艺流程、采用新材料，存储电容深宽比达 45:1。开发适配 DRAM 工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺，成功将 G5 平台核心功能区高度缩小到 6762 纳米。

G5 微缩工艺的突破推动存储密度实现大幅提升：每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少 50%，在产品能效、成本控制上均具备显著优势。

本次大会同步展出两款基于 G5 平台打造的 LPDDR5X 量产产品，单颗容量均为 24Gb，较上一代同类型产品提升 50%，分别采用 496Ball、245Ball 封装规格，可适配中高端智能手机、便携式消费电子等不同场景需求，目前均已进入规模量产阶段。