快科技 8 月 28 日消息，SK 海力士 CEO 郭鲁正出席公司首座美国工厂——位于印第安纳州西拉斐特市的奠基仪式时表示，该工厂建成后，到 2030 年将使印第安纳州成为 " 美国关键的 HBM 生产基地 "。

他同时强调，受 AI 需求持续激增影响，高带宽内存（HBM）正面临全球性供应短缺，这一态势预计将延续至 2030 年底。

郭鲁正指出：" 我们将为客户提供新的美国本土 HBM 供应来源，同时强化美国半导体供应链，为美国国家安全和经济安全作出贡献。"

作为全球 HBM 市场份额最高的厂商，SK 海力士正推进一项规模达 7200 亿美元的大规模扩产计划，以进一步提升 HBM 产能，其中绝大部分项目将在韩国本土实施。公司正在韩国建设全球最大的存储芯片晶圆厂园区，相关生产预计于明年 2 月启动。

不过，位于印第安纳州、投资 40 亿美元的新工厂将主要承担封装业务，而非先进存储晶圆制造。封装是将存储芯片堆叠并互联，组合成高性能产品的关键后端工序。郭鲁正透露，该工厂首座用于封装生产的洁净室预计将于 2028 年 10 月正式启用。

财务层面，SK 海力士已于今年 7 月登陆纳斯达克，募资 265 亿美元，创外国公司在美上市融资最高纪录。印第安纳州共和党州长迈克 · 布劳恩将该工厂项目誉为 " 印第安纳州史上最大开发项目 "，也是美国首个同类设施。

郭鲁正预计，到 2030 年，SK 海力士在美投资及资产总额将超过 450 亿美元，其中包括今年 1 月成立、规模 100 亿美元的 "AI Company" 以及子公司 Solidigm。

展望市场前景，郭鲁正表示目前未看到存储芯片行业出现明显下行迹象，即便未来需求放缓，也更可能表现为增速趋缓而非大幅下滑，他对 2030 年后的市场形势并不担忧。