科创板日报 7小时前
研微半导体完成近15亿元B轮融资 锡高投追投
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《科创板日报》8 月 27 日讯,近日,研微(江苏)半导体科技有限公司(下称 " 研微半导体 ")完成 B 轮融资,融资总额近 15 亿元。本轮投资方包括中电科产业基金、中车资本、京东方、中金资本、沃衍资本、华泰紫金、博华产投、招银 AIC、中银 AIC、厚纪资本、硬核坚果资本、高信资本、山证创新投资、高粱资本、锡高投、湖杉资本、欣柯资本、典实资本、泰达科投、临芯投资、新尚资本、襄禾资本。

此次募集资金将继续重点用于核心产品迭代、产能建设及研发扩容,进一步巩固公司在半导体高端薄膜沉积设备领域的技术优势,加速推进设备国产化替代进程。

本轮融资总额近 15 亿元,锡高投、湖杉资本、欣柯资本、典实资本、泰达科投、临芯投资、新尚资本、襄禾资本等老股东持续追加投资。

研微半导体成立于 2022 年,总部位于江苏省无锡市滨湖区,是一家专注于高端 ALD、PECVD 及特色外延设备技术的半导体设备公司。

创始人林兴为博士学历。核心团队由国际头部半导体设备企业资深专家领衔,研发团队中硕士、博士占比超过 60%。

研微半导体已构建覆盖 tALD、PEALD、RP EPI 等全场景产品矩阵。Spritz tALD 通过先进进气混气系统提升薄膜均匀性与产能;Fluxus tALD 采用层状流腔体及双腔设计增强稳定性;Auratus PEALD 利用多物理场协同优化实现高台阶覆盖率;Perfectus-R RP EPI 具备卓越电性与缺陷控制能力,支持异质外延层生长。

研微半导体产品覆盖逻辑芯片、存储芯片、先进封装、功率器件及射频元件等领域,已形成全场景产品矩阵,打通从研发、工艺验证到量产交付全链条,广泛应用于 HKMG 金属层沉积、NAND WL、DRAM bWL 等关键工序,有效降低客户综合使用成本。

半导体高端薄膜沉积设备赛道在 AI 算力驱动下加速平台化转型,国产替代与规模化量产进程同步提速。

竞争格局方面,中微公司 LPCVD 设备销售约 5.06 亿元,同比增长约 224.23%,薄膜设备累计出货量已突破 300 个反应台。拓荆科技先进产品已进入规模化量产阶段,2026 年一季度毛利率回升。尚积半导体氧化钒 ( VOx ) 薄膜沉积、RF 领域薄膜电阻关键工艺氮化钽 ( TaN ) 薄膜沉积、TC-SAWSiO ₂薄膜沉积、高真空吸气薄膜 ( Getter ) 沉积设备,技术参数均超越进口设备,相关产品已在客户端实现量产。

市场空间方面,中信建投研报预测,2028 年全球前道半导体设备市场(WFE)规模达到 2414 亿美元,较 2025 年增长约 108%。

行业趋势方面,国盛证券指出,当前半导体产业验证正从代工环节向设备、封测等全链条扩散,AI 算力需求驱动的量价齐升逻辑持续强化;中微公司薄膜沉积设备顺利完成从技术验证到规模化量产的关键跨越,平台化转型加速落地。东吴证券指出,AI 驱动下国产算力将快速发展,带来先进制程、先进封测设备新需求,不管是先进逻辑还是长存、长鑫等先进产能都在积极扩产。

行业风险方面,爱建证券指出,该赛道面临存储价格下跌风险,半导体技术迭代不及预期风险,行业竞争加剧风险,以及国产设备导入进度不及预期风险。

(科创板日报)

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