快科技 7 月 22 日消息，据报道，SK 海力士 CEO 郭鲁正近日发出警告，称 2027 年将是存储行业历史上供应最严峻的一年，当前由内存涨价引发的市场震荡可能还远未见顶。

Business Times 称，2027 至 2028 年间存储相关晶圆产能预计每年增长约 12%，但其中约一半将被 HBM 占据。

其中三星 2026 年 HBM 出货量约为 120 亿 Gb，2027 年将增至 200 亿 Gb；SK 海力士 2026 年为 180 亿 Gb，2027 年将达 240 亿 Gb。HBM 对晶圆的吞噬效应直接挤压了常规 DRAM 的产能空间。

由此带来的结果是，2027 至 2028 年非 HBM DRAM 位元增长率将被限制在年化 15%，而同期需求预计增长 22%，供应缺口达 7 个百分点。

产能扩容方面，三星 P5 Fab 1 将于 2027 年 7 月投产，P5 Fab 2 和龙仁另一座工厂要到 2029 年才能开始量产。SK 海力士龙仁 Y1 工厂计划 2027 年 2 月投产，Y2 工厂预计 2028 年下半年才能上线。这意味着短期内新增产能难以有效缓解供应紧张。

长鑫存储向 DDR6 的转型计划可能是一个缓解因素，但目前其量产时间表尚不确定，且是否向中国以外市场供货仍不确定。

日前威刚董事长陈立白在采访期间也驳斥 AI 泡沫论，称未来十年最缺电力和内存，三大原厂理性扩产不会无序扩张，内存价格下半年将继续上涨。