英特尔正推进欧洲扩产计划，斥资 50 亿欧元（折合 57 亿美元）升级爱尔兰 34 号晶圆厂，量产 Intel 3 工艺；与之形成鲜明对比的是，其耗资 300 亿欧元规划的德国晶圆厂项目已彻底搁置，这片地块的未来走向如今备受市场关注。德国媒体 CIO.de 消息称，已有至少三家企业表达地块收购意向，总部位于德累斯顿的无晶圆铁电存储企业 FMC 是呼声最高的潜在接手方。报道援引萨克森 - 安哈尔特州财政部长米夏埃尔・里希特的表态，今年夏末前后将敲定 FMC 是否落地马格德堡建厂。即便最终落地，完整量产厂区的建成投产仍需数年时间；行业媒体 Oiger 指出，若 FMC 成功落地投资，将成为欧洲时隔多年重启存储芯片本土制造的关键一步。

FMC 建厂规划：打造欧洲新一代存储晶圆厂

据 Oiger 报道，目前 FMC 新一代存储芯片均交由第三方代工厂小批量代工，企业计划在马格德堡自建大型晶圆厂，选址正是英特尔原定建厂地块。FMC 计划联合多家合作伙伴以合资模式运营厂区，这套合作方案与台积电在德累斯顿落地欧洲首座晶圆厂的模式相近。但这项宏大规划仍存在多重阻碍。Oiger 援引《商报》信息，该项目总投资约需 30 亿欧元，FMC 计划依托《欧洲芯片法案》，向德国联邦政府与州政府申请补贴，覆盖一半项目资金。与此同时，海泽在线今年 1 月的报道显示，FMC 完成新一轮 1 亿欧元增资，并完成管理层补强，聘任两名半导体行业资深高管，其中英飞凌前首席执行官莱因哈德・普洛斯出任公司顾问委员会主席。

FMC 企业与存储产品深度背景

FMC 凭借下一代新型存储赛道布局收获行业瞩目，但该公司尚未对外披露自研芯片完整参数。海泽在线介绍，这家 2016 年成立的初创企业脱胎于德累斯顿工业大学科研体系，核心铁电存储技术源自纳米电子材料实验室（NaMLab）的技术成果。该实验室早年曾与 DRAM 厂商奇梦达合作，而奇梦达已于 2009 年宣告破产。行业媒体 Blocks & Files 披露，FMC 同步研发两款存储产品：DRAM + 与 CACHE+。 其中 DRAM + 定位 DRAM 替代方案，在内存基础上叠加非易失存储特性，兼具内存与闪存双重能力，可降低设备功耗、提升读写耐久度。而 CACHE + 瞄准静态随机存储器（SRAM）市场，存储密度是传统 SRAM 的十倍，待机功耗降低 90%，同时支持断电数据保存。两款存储技术均可兼容标准 CMOS 制造工艺：依托现有成熟半导体设备，将传统晶体管、电容改造为铁电场效应晶体管（FeFET）与铁电电容（FeCAP）。报道补充，工艺兼容现有产线是该技术的核心优势，但企业更大的难点在于，如何获得全球半导体上下游供应链的广泛认可。