7 月 16 日，国产 DRAM 存储芯片龙头长鑫科技集团股份有限公司（股票代码：688825，下称 " 长鑫存储 "）正式开启科创板申购。

根据公告，长鑫存储发行价为 8.66 元 / 股，初始发行股份 66.88 亿股，占发行后总股本 10%。超额配售选择权行使前，预计募集资金总额约为 579 亿元人民币，若全额行使，募资总额将达 666 亿元。

这一规模将超过 2020 年中芯国际的募资纪录，长鑫存储将创造科创板史上最大规模 IPO。

在各路资金的认购意向于 16 日这天如潮水般涌来前，长鑫存储早在 7 月 14 日晚就公告披露了战略配售的豪华阵容：既有国调基金、中国人寿国家级大型投资基金或险资机构参与，还有中微公司、通富微电等半导体产业链公司，以及腾讯、阿里云、小米、蔚来等下游企业。

一场由长鑫存储搅动的资本狂欢就此展开。几乎同时，行业研究机构也将这家中国 DRAM 龙头放在全球坐标系中进行再评估。

根据 Counterpoint Research 最新报告显示，按比特（bit）出货量计算，长鑫存储已占据全球 DRAM 市场约 9% 的份额，位列全球第四。过去十余年间，全球 DRAM 市场由三星、SK 海力士和美光三家跨国巨头垄断，长鑫存储能否一步步破局 " 三寡头 "？

长鑫存储招股书显示，其在 2026 年上半年迎来业绩爆发，预计实现营业收入 1,100 亿至 1,200 亿元，归母净利润预计达 500 亿至 570 亿元。

其实，长鑫存储能在 2026 年中期冲刺 IPO，正是踩中了全球存储行业的 " 超级周期 "，DRAM 市场供需缺口引爆产品价格飙升，但产业周期与业绩增势的红利，它又能吃多久？未来的增长故事要怎么讲？

需要跨越一道份额的鸿沟

不论是 Counterpoint Research 统计口径下的 9% 市占率，还是 CFM 闪存市场数据，2026 年第一季度长鑫存储销售收入达 73.09 亿美元，市场份额 7.7%。抑或长鑫存储招股书中援引 Omdia 数据显示，其全球市占率约为 7.67%。这些都真实地反映着这个全球 DRAM 市场排位第四的厂商与前三名的巨大差距。

2026 年第一季度，三星以近 40.5% 的市占率稳居龙头，SK 海力士以约 29% 排名第二，美光以约 22% 位居第三——三巨头合计掌控全球 DRAM 市场超 90% 的份额。

长鑫存储与上述海外三巨头之间横亘着一道份额的鸿沟，在筹谋破局前，它还需要跨越一道严峻的 " 生死线 "。

Counterpoint Research 研究总监黄敏成回顾起 2008 年的中国台湾 DRAM 产业，彼时当地厂商整体份额跌破 15% 后，高昂的研发与设备投入无法收回，无力支撑下一代晶圆厂投资，最终份额一路溃败至 3% 左右，被迫退出主流赛道。

黄敏成分析，15% 的市场份额是企业实现长期可持续发展的关键门槛。而长鑫存储目前的全球市场份额约占 9%，预计到 2028 年才将提升至约 11%。能否突破 15% 的市场份额门槛，是产业市场与行业研究机构观察长鑫存储未来发展空间的重要指标。

2023 年 -2025 年，长鑫科技分别实现营业收入 90.87 亿元、241.78 亿元、617.99 亿元；归母净利润也从 -163.40 亿元扭亏为盈至 18.75 亿元。2026 年第一季度，公司实现营业收入 508 亿元，同比增长约 7 倍；归母净利润 247.62 亿元，同比增长 1688%。

业绩的爆发，受益于全球 DRAM 市场的供需缺口。但 TrendForce 集邦咨询分析师王豫琪给出监测数据显示，通用 DRAM 合约价在 2026 年 Q1、Q2 的涨幅分别达 93-98% 和 58-63%，预计 Q3 将续涨 13-18%。

" 涨幅呈现收敛趋势。" 王豫琪告诉钛媒体，由于供给端仍缺乏新厂产能支持，全球 DRAM 供不应求的格局预计将延续至 2027 年。

为应对周期波动并确立规模优势，长鑫存储选择加速出货。招股书公开的规划显示，长鑫存储计划在 2030 年实现产能翻倍、2035 年产能增至当前三倍。其短期目标更为激进：通过上海、北京新建晶圆厂以及合肥大型产业集群建设，其月产能将由目前的约 32 万片晶圆提升至 2026 年底的 35 万片、2027 年的 42 万片、2028 年的 50 万片。

对比美光预计 2026 年底实现的月产能 37.5 万片，长鑫存储虽与之仅有微小差距，但这种产能追赶背后 " 用规模换生存 " 的方式，能否真正助力它跻身全球 DRAM 主流核心竞争格局，仍未可知。

IPO 募资后更要讲好增长故事

长鑫存储本次在科创板 IPO 募集的 579 亿元人民币中，有大量资金将聚焦于技术主业与产能扩充：其中 75 亿元用于产线升级、130 亿元用于 DDR5/HBM 高端存储研发、90 亿元用于前沿技术攻关，另有超过 220 亿元明确用于设备购置及安装。

长鑫存储还试图在新的产品结构上讲故事。

过去，长鑫存储主要依靠 DDR4、LPDDR4 等中低端通用产品在本土市场进行国产替代，伴随募资到位，其产品结构将面临实质性转型：首先是 LPDDR5 和 DDR5 等高端产品占比预计将迅速接近其总产量的 75%；其次面向 PC 及服务器市场的 DRAM 产品已开始进入全球 OEM 客户供应链；再者长鑫存储正在推进 12 层堆叠 HBM3 的量产与验证，依托本土 AI 生态导入，目标是到 2028 年实现约 20 亿美元的 HBM 业务收入。

不过，在 HBM 高端存储这个 AI 时代最关键的赛道上，SK 海力士独占全球 58% 的市场份额，而长鑫存储的 HBM3 与之存在 2-3 年的代差。若如王豫琪分析的，全球 DRAM 供不应求格局延续至 2027 年，之后产能集中释放、AI 需求步入平稳期，长鑫存储在周期顶峰投入铺开的产能，会否在下行周期中变成折旧包袱，或将成为新的考验。

实际上，在实现产品结构转型的过程中，长鑫存储要缩短与海外巨头间的技术差距，回避不了来自先进半导体设备的获取难题。

Counterpoint Research 研究副总裁尼尔 · 沙阿分析指出，由于无法获得先进光刻设备，长鑫存储只能加快探索垂直沟道晶体管和晶圆堆叠等新一代 3D DRAM 技术路线。

显然，如何与三星、SK 海力士、美光这些传统国际领先厂商，在技术工艺水平上赛跑，是长鑫存储冲刺 IPO 后仍需投入时间去解决的问题。

作为中国存储芯片的代表，长鑫存储要实现关键技术、产品的跃迁，一定需要跨越重重关卡，像设备之困便是其一。但尼尔 · 沙阿认为，国际领先厂商或因兼顾昂贵设备的投资回报率，可能会推迟基础技术架构的切换，而长鑫存储或能被迫探索新的技术架构，将外部压力转化为技术突围的动力，实现对海外巨头厂商的追赶，甚至使中国成为下一代存储技术发展的重要风向标。（作者 | 钱玉娟，编辑 | 杨林）