SK 海力士 CEO 预警：2027 年将现史上最严重存储芯片短缺，紧缺或将延续至 2030 年后

2026 年 7 月 10 日，SK 海力士 CEO 郭鲁正发布重磅预判：全球存储芯片行业将在 2027 年遭遇史上最严峻的供应短缺，市场需求持续大于产能的局面，将一直延续至 2030 年之后。

该预警发布当日，正是 SK 海力士美国存托凭证（ADR）于纳斯达克交易所正式挂牌交易的首日。（史上第二大 IPO，来了！（附 PPT））

2026 年 7 月 10 日，美国纽约，存储芯片企业 SK 海力士 CEO 郭鲁正出席公司纳斯达克上市敲钟仪式并做出手势。

SK 海力士 CEO 郭鲁正核心观点：

史上最严重的供应短缺即将到来：郭鲁正认为，全球存储芯片行业将在 2027 年迎来极其严重的供不应求局面。

供需失衡将呈长期化趋势：客户对存储芯片的需求极为强劲，这种需求超过公司产能的局面并不仅仅是短期波动，而是将一直持续到 2030 年之后。

下游客户正陷入 " 焦虑 " 并抢占产能：由于对长期短缺的担忧，下游客户为了保障自身供应链安全，正在密集且积极地与 SK 海力士签署长期供货合同（LTA）。

对应英文原话及表达参考

1. 关于 2027 年最严重短缺与长期供需失衡

"The global memory chip industry will face the 'most severe supply shortage in history' in 2027, and the situation where customer demand exceeds our capacity will persist until after 2030." ( " 全球存储芯片行业将在 2027 年迎来‘史上最严重的供应短缺’，客户需求超过公司产能的局面将持续到 2030 年之后。" )

2. 关于客户密集签署长期合同

"Customers are aggressively signing long-term supply contracts because they believe the shortage will last for a longer period." ( " 客户正在密集签署长期供货合同，因为他们相信短缺会持续更长时间。" )

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1、晶圆缺口超 20%，暂无快速解决方案

本轮短缺的核心问题清晰明确，但破解难度极大。

SK 集团会长崔泰源早在 2026 年 3 月就指出，全球晶圆结构性缺口已超 20%。

他同时预警，半导体产能扩张周期长达数年而非数月，这一供需缺口在 2030 年前无法填补。

面对行业困境，SK 海力士推出大规模扩产计划：未来五年，公司计划将存储晶圆产能翻倍，同时积极评估赴美新建芯片制造工厂的可行性。

2、AI 成核心需求巨兽

本轮短缺的根本诱因正是人工智能。

AI 产业对高带宽内存（HBM）产生了海量刚需，这类专用芯片主要搭配 GPU，广泛应用于 AI 训练集群与推理服务器，需求近乎无穷无尽。

当前 HBM 市场由 SK 海力士、三星电子和美光三家企业垄断。

行业高度集中的格局意味着，这三大核心供应商之一的高管预判未来数年持续短缺，整个科技产业链都需高度重视。

3、拟赴美建设晶圆厂，多地区选址评估中

郭鲁正透露，美国是公司未来晶圆代工建厂投资的备选地之一，目前尚未敲定最终方案。

他表示，公司选址将优先考量土地、电力、水资源充足、用工技能成熟且制造成本具备优势的地区。" 只要条件达标，美国、日本、东南亚均在备选范围。目前一切尚未敲定，我们正在评估各地区的综合商业优势。"

SK 海力士现有核心厂区位于总部所在地韩国利川、清州，同时正在龙仁市建设大型新厂区。

目前，SK 海力士与三星电子均参与了韩国政府的产业规划，计划五年内将韩国存储芯片整体产能翻倍。两家企业将各自投入 400 万亿韩元（约合 2660 亿美元），在韩国西南部布局芯片生产基地。

不过该扩产计划引发了部分投资者担忧，市场担心一旦行业周期下行，大规模产能或将让企业面临更大经营风险。

在美国市场，SK 海力士已投入约 40 亿美元，在印第安纳州建设先进芯片封装工厂；同时斥资 100 亿美元在美布局 AI 解决方案公司，打造全新 AI 增长引擎。

4、存储短缺对全球的影响

首先，直接影响 GPU 供货。与 AI 企业形成硬件资源竞争。

长期的存储芯片短缺，将推高各类采购成本，还可能放缓依赖消费级、企业级 GPU 的公链算力增速。

其次，推高全链条运营成本。一旦 DRAM、HBM 因产能紧缺大幅涨价，全行业运营成本将全面攀升。

对于关注纳斯达克上市的美光、三星、SK 海力士的投资者而言，长期产能稀缺是一把双刃剑。供给紧张会抬升单颗芯片营收，大幅改善企业利润空间；但同时会引发下游客户抵触、加速替代技术研发，还可能引来监管审查——关键基础设施高度依赖少数几家供应商，本身就存在产业风险。

目前，专业投资者重点关注两大核心动向：SK 海力士的五年产能翻倍计划、美国新工厂建设进度。一旦相关规划出现延期，本轮芯片短缺危机或将持续至 2030 年以后。

In honor of the occasion,  Chey Tae-won, Chairman of SK Group, and Kwak Noh-Jung, SK hynix President & CEO, rings the Opening Bell.

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5、存储芯片超级紧缺行业解读问答版

一、核心判断与行业发声

Q1：哪家企业高管预警存储芯片史上最严重短缺？给出怎样的时间预测？

A：SK 海力士 CEO 郭鲁正（Kwak Noh-jung）在公司纳斯达克 ADR 上市采访中预警，2027 年将迎来存储芯片史上最严重供应短缺；即便公司持续扩产，市场需求高于产能的局面会延续至 2030 年以后。

Q2：还有哪些行业大佬持相同观点？

A：1.   美光 CEO 桑贾伊 · 梅赫罗特拉上月财报会表态，无法预判存储供应何时追上上涨需求；

2.   英伟达黄仁勋同步称 AI 存储短缺将持续数年，SK 海力士仍是英伟达最大 HBM 供应商。三家上下游核心企业 CEO 形成统一紧缺判断。

Q3：下游客户如何应对长期紧缺预期？

A：全球数据中心、终端厂商密集签订长期供货协议，用长单锁定产能与定价，对冲未来供给缺口风险；头部存储厂 2026 年 HBM 产能已全部提前售罄。

二、SK 海力士 265 亿美元美股募资相关问题

Q1：本次募资规模行业地位如何？上市表现怎样？

A：通过美国存托凭证（ADR）募资 265 亿美元，创下外资企业赴美同类发行最高纪录；7 月 10 日纳斯达克上市首日收涨 13.08%。

Q2：大额募资主要用途与战略目的是什么？

A：1.   深度绑定美国 AI 核心客户，拓展 AI 高端人才资源；

2.   加码 HBM 等 AI 存储产线扩产；

3.   评估在美国新建存储晶圆厂，选址需满足电力、水资源、高端人才硬性标准，目标贴近美国 AI 产业集群。

三、本轮存储紧缺核心根源：AI+ HBM 结构性瓶颈

Q1：本轮短缺和以往芯片周期最大区别是什么？

A：过往存储紧缺、汽车芯片短缺属于脉冲式短期错配需求，产能落地后供需快速反转；本轮是 AI 大模型带来结构性刚性需求，模型参数每翻倍，HBM 容量、带宽需求同步提升，不存在短期回落逻辑。

Q2：HBM 是什么？为何成为 AI 刚需？

A：HBM（高带宽内存）是专为 AI 加速器设计的堆叠式存储，通过 TSV 硅通孔多层垂直堆叠 DRAM；对比 DDR5 优势：

1.   带宽是 DDR5 十几倍，上千条数据通道，解决 AI 训练 " 存储墙 "；

2.   英伟达 H100/H200/B200 等 AI GPU 标配，单颗下一代 GPU 规划搭载 1TB HBM。

Q3：为什么不能靠砸钱快速扩产 HBM？两大物理瓶颈是什么？

A：1. HBM 堆叠工艺壁垒高：专用产线、特殊设备，SK 海力士耗时近十年才稳定量产良率；同等容量 HBM 占用晶圆面积是普通 DRAM 的 4 倍，成本溢价 5-6 倍；当前仅占 DRAM 出货 8%，贡献 30% 营收。

2.   台积电 CoWoS 先进封装产能卡死：HBM 无法直接搭配 GPU，必须依靠硅中介层 2.5D 封装；2026 年底 CoWoS 产能仅 12-14 万片，交付周期超 50 周，2nm 订单排至 2028 年，全年产能 100% 被提前锁定，设备端同步产能不足，短期无法扩产。

Q4：为什么消费级 DDR5、手机内存同步涨价？

A：三星、SK 海力士、美光优先将晶圆产能倾斜至高利润 HBM，分流传统 DDR 产线产能，消费电子、PC、汽车终端存储同步承压涨价。

四、CEO 集体喊缺，是否存在商业叙事成分？

Q1：头部厂商同步释放紧缺预警，各自有什么商业诉求？

A：1. SK 海力士：刚完成 265 亿美元大额美股融资，长期紧缺叙事稳定股价、支撑估值，消化市场对 AI 周期见顶的担忧；公司近一年股价涨超 7 倍，2025 年利润翻倍。

2.   美光：财报节点引导市场上调业绩预期，强化存储涨价逻辑。

3.   英伟达：维持市场对 AI 算力长期投入信心，HBM 占 GPU 成本持续走高，供给越紧张，存储厂商议价权越强，整条 AI 产业链定价支撑力更强。

Q2：紧缺是完全炒作吗？参考 2021 年汽车芯片荒，这次会快速反转吗？

A：供给瓶颈真实存在，但企业存在适度放大紧缺预期的商业动机；但不会像 2021 年汽车芯片荒快速过剩：

汽车芯片是短期订单错配，AI HBM 是持续扩张的结构性刚需，瑞银、摩根士丹利一致预判，DRAM 行业至少 2028 年第二季度才有望重回供需平衡。

五、产业链应对方案：短期锁长单，长期布局替代技术

Q1：下游企业短期该如何应对存储涨价、产能紧缺？

A：1.   数据中心、AI 训练集群：提前签署长期供货协议，优先锁定拥有台积电 CoWoS 配额的芯片厂商货源；

2. PC、手机、车企：接受硬件成本抬升，或下调终端存储规格；

3.   行业普遍现象：存储从普通元器件变为算力战略资源，采购预算持续上浮。

Q2：中长期有什么技术路线可以降低对 HBM 的依赖？

A：核心方向为近存计算（PIM）、存内计算（CIM），将计算单元嵌入存储芯片，减少数据传输带宽消耗：

1.   日韩原厂：SK 海力士、三星推进 LPDDR6-PIM 商用；

2.   国内进展：后摩智能鸿途 H30 存算智驾芯片 2025 年量产；清华、华为、字节推出 28nm 混合存内计算芯片；

3.   市场规模：2025 年全球存算一体芯片市场破 120 亿美元，国内厂商占 30% 份额。

Q3：替代技术能完全取代 HBM 吗？

A：短期无法完全替代：存算一体当前主要落地边缘推理、终端 AI 场景；大模型训练对精度、通用算力、超高带宽要求极高，HBM+GPU 组合仍是未来数年主流方案；仅垂直行业推理、轻量化设备可优先布局替代架构对冲成本。

六、行业周期总结

Q：本轮存储周期核心特征是什么？

A：传统存储 2-3 年一轮紧缺 - 过剩循环被 AI 打破；供给端 HBM 工艺、先进封装双重产能硬约束，需求端大模型持续扩张形成刚性增量，2027 年迎来短缺峰值，紧张周期拉长至 2028 年后，存储行业中长期盈利确定性大幅提升。