快科技 7 月 11 日消息，当地时间 7 月 10 日，SK 海力士完成 265 亿美元（约 1802 亿元）ADR 纳斯达克上市，发行价 149 美元，首日收盘大涨 12.76%，总市值达 1.22 万亿美元（约 8.30 万亿元）。

SK 海力士 CEO 郭鲁正表示，当前冲击电脑、汽车及消费电子市场的存储芯片短缺局面，大概率会延续至 2030 年之后。

当前 AI 算力基础设施建设催生海量 HBM、通用 DRAM 与 NAND 需求，晶圆制造、EUV 设备、先进封装产能存在刚性上限，短期新增产能无法匹配持续爆发的采购需求。

下游云厂商、终端品牌、车企均预判芯片长期紧缺，纷纷签订五年以上长期供货协议，公司六成至七成规划出货量已被长协锁定，侧面印证市场供给紧张的长期预期。

全球 AI 算力扩张优先抢占高端存储产能，HBM 订单持续饱和，分流大量晶圆制造资源，手机、PC、汽车电子等通用终端同步面临芯片供货不足压力，上游存储涨价压力持续向下游消费电子传导。

此前已有机构预测 DRAM 供需缺口至少维持至 2028 年二季度，海力士本次判断进一步拉长紧缺周期预期。

为缓解长期供需失衡，SK 海力士将本次上市全部募资投入产能扩建，同步推进海内外多重大额投资规划。

韩国龙仁半导体集群持续加码，总投入超 31 万亿韩元（约 2115 亿美元，折合 1.44 万亿元），首座 HBM 晶圆厂 2027 年投产；清州布局百亿韩元级 NAND 与先进封装产线；美国印第安纳州投入 38.7 亿美元（约 263 亿元）搭建海外 HBM 封装基地，整套扩产目标五年内实现整体晶圆产能翻倍。