2026 年 7 月 9 日凌晨，国产 DRAM 龙头长鑫科技集团披露科创板上市招股意向书，确定 7 月 16 日开启新股申购，证券代码 688825、网上申购代码 787825，正式登陆资本市场。此次 IPO 为今年 A 股最大规模融资，亦是科创板史上仅次于中芯国际的第二大 IPO。

长鑫科技成立于 2016 年，是国内规模最大、技术最先进的 DRAM 一体化 IDM 企业，专注动态随机存取存储器研发、制造、封测与销售。创始人朱一明曾创立兆易创新，后者亦持有公司股权。本次发行初始规模 66.88 亿股，占发行后总股本 10%；若全额行使超额配售权，总发行量将达 76.9 亿股。

作为突破全球存储垄断的关键力量，DRAM 行业技术与资金壁垒极高，长期由三星、SK 海力士、美光三巨头垄断（市占率超 90%），长鑫科技填补了中国大陆高端 DRAM 量产空白。公司采用 " 跳代研发 " 策略，已实现一至四代工艺量产，产品覆盖 DDR4、LPDDR4X 至 DDR5、LPDDR5/5X 全系列，核心产品及工艺技术已达到国际先进水平。据 Omdia 数据，2025 年四季度长鑫科技 DRAM 全球市占率达 7.67%，稳居大陆第一、全球第四；SemiAnalysis 预测，2028 年其全球市占率有望升至 17%。此次 IPO 计划募集 295 亿元，分别投向晶圆制造产线升级（75 亿元）、DRAM 技术升级（130 亿元）及前瞻技术研发（90 亿元）三大核心项目。

业绩层面，长鑫科技完成从巨亏到爆发的逆转。2023-2025 年扣非净利润依次为 - 167.52 亿元、-78.70 亿元、53.16 亿元，成功实现盈利转正。2026 年受 AI 算力驱动，存储行业迎来超级周期，公司业绩暴增：一季度营收 508 亿元，同比增 719.13%，归母净利润 247.62 亿元扭亏为盈；上半年预计营收 1100-1200 亿元，同比增 612%-677%，归母净利润 500-570 亿元，同比增超 22 倍，日均盈利近 3 亿元。

尽管公司在招股书中提示，2026 上半年的业绩大幅增长存在不可持续风险，如 AI 发展对 DRAM 市场需求存在不确定性。但市场普遍看好长鑫科技的扩产空间。Counterpoint Research 预测，2026 年全球存储芯片市场规模将达到 9600 亿美元，较 2025 年增长超 3 倍。

在供给端，三星、SK 海力士、美光等海外巨头将 70% 至 90% 先进产能优先投向 HBM、高端 DDR5 等 AI 专用产品，通用存储产能压缩。高盛研报显示，2026 年全球 DRAM、NAND 闪存、HBM 的供需缺口分别达 4.9%、4.2% 和 5.1%，均为 2011 年以来最高，机构判断当前供需紧张格局至少延至 2027 年下半年。

值得一提的是，本次 IPO，董事长朱一明作出 A 股罕见锁定期承诺：上市首个十年不减持，第二个十年每年减持不超上年末锁定股份 20%。同时自愿将 7.68 亿股股份，在上市满 36 个月后 10 年内全额激励在职员工（不含朱一明本人），若按 2 万亿市值估算，激励股份市值超 200 亿元，为 A 股史上最大规模个人股权激励。