快科技 7 月 6 日消息，据韩国经济日报报道，长鑫存储近日秘密启动了一条键合 DRAM 研发线，目标是比韩国企业更早实现下一代存储技术的商用化。

几乎同一时间，苹果正积极推动将长鑫存储纳入 DRAM 供应链，以对冲 AI 数据中心预计明年将吞噬全球 60% 以上存储产能的供应风险。

长鑫存储和长江存储两年前还只能制造低端芯片，每年亏损数千亿韩元，但今年第一季度，长鑫存储的 DRAM 全球市场份额已飙升至 8%，从过去不被统计到跻身全球前列。

报道称，韩国与中国在存储领域的技术差距已从 5 年以上缩小至 3 年左右，部分下一代技术领域中国甚至已经反超。

键合 DRAM 是长鑫存储押注的核心突破口，这项技术将存储单元阵列和外围控制逻辑分别制造在不同晶圆上，再通过晶圆对晶圆混合键合工艺直接贴合，取消传统微凸点连接，好处是缩短连线距离、降低寄生电阻、提升传输速度并降低功耗，同时不增加芯片横向面积。

更关键的是，长鑫存储无需 EUV 光刻机，仅靠 DUV 设备配合多重曝光工艺就能制造超高密度 DRAM，完美绕过美国出口管制。

HBM 战场同样在加速，三星和 SK 海力士已进入 HBM4 主导权争夺，明年将量产 HBM4E，而长鑫存储将 20% 的产线转为 HBM 专用，正在全力冲击 HBM3 和 HBM3E。

首尔大学教授崔宇永警告，一旦华为等中国本土 AI 芯片厂商开始内采 HBM 积累实战经验，良率和稳定性可能比预期更快步入正轨。

此外，长鑫存储还在向 CXL 3.0 DRAM 市场延伸。

NAND 领域长江存储的领先优势更加明显，其独创的 Xtacking 架构已从 160 层量产到 270 层，在 400 层以上超高层 NAND 必备的 W2W 混合键合工艺上，长江存储以 119 件核心专利构筑了远超韩国企业的壁垒，而三星电子仅 83 件，SK 海力士更只有 11 件。

三星电子为开发 V10（430 层）三堆叠 NAND，已向长江存储寻求专利授权，这在韩国存储霸主的历史上几乎没有先例。而 W2W 混合键合正是键合 DRAM 所依赖的同一底层技术，长江存储在 NAND 领域积累的专利优势同样适用于 DRAM 战场。

从 DRAM 份额飙升到键合 DRAM 技术突破，从 HBM 追击到 NAND 专利授权逆转，中国存储双雄正在多条战线同时逼近韩国。首尔大学黄哲圣教授直言，中国半导体产业将成为韩国未来最大的威胁。