日韩科技股在经历连续两日剧烈抛售后，迎来强劲反弹，市场情绪受产业端多重利好集中释放所提振，此前围绕 "AI 算力过剩 " 的交易逻辑出现阶段性逆转。

7 月 3 日，韩国 KOSPI 指数早盘一度跌超 3%，随后迅速拉升至涨 5%，触发程序化买盘熔断机制；日本半导体板块同步大幅走高，整体呈现深 V 修复走势。个股方面，三星电子、SK 海力士双双涨超 8%，铠侠盘中一度涨逾 10%，带动日韩半导体板块全面回暖。截至收盘，日经 225 指数收涨 1.5%，东证指数收涨 1.2%；韩国首尔综指大涨 5.8%。

反弹的直接催化来自 AI 产业链多项新进展。据报道，AI 初创公司 Anthropic 正与三星电子洽谈定制 AI 芯片合作，提振市场对三星晶圆代工业务前景的预期。同时，三星、SK 海力士持续推进 AI 半导体扩产计划并公布新一轮投资；铠侠宣布其第十代 3D NAND 芯片已向 AI 数据中心客户送样，并释放需求依然强劲的信号。

不过，在 AI 投资进入更加注重回报率与资本效率的新阶段后，市场对产业链供需平衡及产能扩张节奏的审慎评估仍在延续，相关分歧并未根本消除。

AI 催化引领反弹，三星战略合作与业绩预期共振

本轮市场反弹首先来自 AI 产业链的新催化。

据报道，Anthropic 正与三星电子讨论合作开发定制 AI 芯片。虽然合作仍处于早期阶段，但市场认为，这意味着三星晶圆代工业务有望进一步参与 AI 芯片生态。

Fibonacci Asset Management Global 首席执行官 Jung In Yun 表示，这一合作短期内对盈利贡献有限，但战略意义积极，有助于强化三星在 AI 芯片领域的重要地位，也进一步凸显亚洲在 AI 半导体供应链中的角色。

与此同时，市场也开始提前交易三星即将公布的季度初步业绩。分析师普遍预计，公司第二季度盈利将继续大幅增长，投资者更关注管理层对于 AI 存储需求持续性的判断。

韩国龙头继续扩产，试图回应市场对 AI 需求的担忧

与资本市场此前担忧形成鲜明对比的是，韩国半导体企业仍在持续扩大投资。

7 月 2 日，三星电子和 SK 海力士再次公布新的建厂计划。根据公开信息，三星计划在韩国忠清地区投资约 140 万亿韩元，覆盖 HBM 晶圆厂、高性能封装、OLED 及下一代电池等多个领域；SK 海力士则计划投资约 100 万亿韩元，重点布局 NAND 及先进封装。

与此同时，韩国政府宣布推动企业在东南部地区投资超过 312 万亿韩元，重点发展半导体、AI 及航天产业。其中，SK 集团、三星、韩华、现代汽车等企业均将参与相关投资。

从韩国资本市场表现来看，虽然市场短期存在波动，但韩国存储芯片龙头企业仍选择继续投资，以稳定市场对于 AI 长期增长的预期。

业内人士也认为，Meta 此前出租部分闲置算力，更应理解为资源优化，而非 AI 基础设施需求拐点。随着未来 AI 企业更加重视成本控制，自研芯片趋势反而可能进一步加强。

三星推动 DRAM 涨价，长期协议强化盈利预期

需求预期之外，价格同样成为市场关注重点。

据韩国 ZDNet 报道，三星电子正在与客户协商第三季度 DRAM 价格，目标是将通用 DRAM 平均售价较第二季度再提高最高 20%，服务器及移动端 LPDDR 产品涨价幅度也可能超过 20%。

业内人士表示，AI 基础设施持续建设，使服务器 DRAM、高带宽存储器（HBM）及 LPDDR 需求仍然紧张，供给压力短期难以明显缓解。

值得关注的是，长期供应协议（LTA）正在成为行业稳定盈利的重要支撑。

美光此前披露，公司已与客户签订 16 份长期供应协议，这类协议不仅锁定采购数量，也设定价格下限，有助于降低未来价格大幅回落风险。业内人士认为，随着长期协议比例提升，DRAM 市场明年出现明显下行的可能性较低。

不过，也有业内人士指出，三星在价格谈判中的态度较为强硬，客户能否完全接受涨价方案，仍有待观察。

铠侠推出新一代 NAND，押注 AI 数据中心需求

日本存储厂商铠侠则选择通过新品回应市场质疑。

该公司宣布，第十代 BiCS FLASH 3D NAND 已开始向 AI 数据中心客户送样，并计划于 2027 年启动量产。新产品采用 332 层堆叠架构及自主研发的 CBA 技术，存储密度较上一代提升约 60%，接口速度达到 4.8Gbps。

据报道，铠侠认为，相比超过 400 层的设计方案，332 层架构在成本、功耗及可靠性之间实现了更优平衡。

公司首席执行官 Hiroo Ota 表示，公司没有看到数据中心需求减弱迹象，将继续积极响应市场增长，不排除进一步增加资本支出。他认为，随着 AI 智能体和机器人应用的发展，闪存市场仍存在较大的增长空间。

不过，市场竞争也正在加剧。

根据 Omdia 分析师 Akira Minamikawa 测算，2025 年三星电子在数据中心 NAND 市场份额约 40%，SK 海力士约 30%，铠侠约 10%。韩国厂商依托 HBM 产品形成的一站式销售能力，仍是铠侠需要面对的重要竞争压力。

与此同时，SK 海力士计划投资建设新的 NAND 生产设施，三星也正规划新的 NAND 产线。三大厂商同步扩产，意味着未来市场仍将持续关注供需关系及价格走势。

市场开始重新审视 AI 投资回报率

此次反弹虽然缓解了市场恐慌，但业内普遍认为，AI 产业的投资逻辑正在发生变化。

分析人士表示，行业正从此前 " 无底线采购 AI 芯片 "，逐步转向更加关注投资回报率，未来云服务厂商对于存储芯片等产品的采购将更加精细，AI 基础设施投资将进入效率优先的新阶段。

在经历本周剧烈波动之后，AI 产业链未来能否继续维持高增长预期，仍将成为市场关注的核心变量。