快科技 6 月 18 日消息，在全球 AI 算力需求持续井喷的当下，先进制程的产能瓶颈始终绕不开光刻机这道关。

当地时间 6 月 17 日，全球唯一 EUV 光刻机供应商 ASML 在 SPIE EUVL 2026 大会上公布最新技术路线图，一边加速推进 0.55NA   High-NA   EUV 大规模量产，一边正式抛出下一代 Hyper-NA 长期蓝图，这也让外界再次聚焦中国半导体的追赶路径。

ASML 披露，High-NA 技术产业化已进入关键阶段。首台 EXE:5000 于 2023 年四季度出货，2024 年三季度完成首片晶圆曝光。升级版 EXE:5200B 去年四季度交付，搭载 2025 年亮相的 1000W 激光光源后产能达每小时 175 片。

截至 2025 年 12 月，全球已累计生产 50 万片 High-NA 晶圆。相比传统 0.33NA EUV，0.55NA 能将关键层曝光次数从 3 次减至 1 次，大幅压低制程复杂度。ASML 资深技术高管 Chris   DeRuiter 表示，High-NA 迈向大规模量产的势头良好，将成为未来数年先进制程的核心支撑。

更受关注的是首次官宣的 Hyper-NA 技术，其数值孔径将突破 0.75，目标是在更先进节点维持单次曝光可行性。ASML 技术高级副总裁 JosBen schop 称，该技术预计 2030 年代中后期落地，刚好承接 2033 年 A7 节点之后的需求。

这里需要澄清行业普遍误区，A7 常被称作 "0.7nm 代次 "，但这只是命名规则（比如 A14 被外界称为 1.4nm 道理一样），与芯片实际物理尺寸无关，它是当前 High-NA 光刻机单次曝光能力的极限。

就在 ASML 沿着传统光刻缩微路线狂奔的同时，华为走出了另一条技术路径。上月在上海举办的 ISCAS2026 大会上，何庭波正式发布 " 韬定律 "，提出以 " 时间缩微 " 替代 " 几何缩微 "，通过逻辑折叠技术同步提升芯片性能与晶体管密度。华为计划 2031 年实现与 1.4nm 制程同等的芯片水平，今年秋季发布的麒麟 2026 将是该技术的首个量产案例。

两条技术路线的并行，意味着半导体产业不再只有光刻缩微这一条独木桥。对于受地缘限制无法获得先进 EUV 设备的中国企业而言，系统级创新或许是实现差异化追赶的可行方向。