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激光热处理国产替代:这家成都公司如何撕开16%市场缺口
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半导体设备自主可控的深水区,激光热处理长期被维易科、住友重工、迪恩士三家攥在手里。QY Research 数据显示,2023 年这三家加上应用材料等第二梯队,境外厂商合计吞下全球激光退火市场超 96% 的份额。国内玩家不是没有,但大多卡在验证环节——设备进了产线,工艺跑不通,或者跑通了稳定性不够,客户不敢用。

成都莱普科技是个例外。这家 2003 年成立的公司,2024 年国内市占率约 16%,成为华润微、士兰微、三安半导体、中车时代、华天科技等主流厂商的唯一或主要激光工艺设备供应商。其科创板 IPO 招股书披露,2023 — 2025 年营收从 1.91 亿元增至 3.50 亿元,归母净利润从 2303 万元增至 7230 万元。2026 年一季度预计营收 5000 — 5500 万元,同比增长 36.51% — 50.16%。

激光热处理的价值在于后摩尔时代的工艺瓶颈。当芯片制程推进到 28nm 以下,传统热预算过高的炉管退火会导致杂质扩散失控,超浅结激光退火(USJLA)成为刚需。三维堆叠、异构集成、SiC 功率芯片、HBM 等前沿方向,更是离不开激光的精准控温和高空间选择性。半导体热处理设备占晶圆制造设备市场价值的 3%,与离子注入、CMP 等关键设备同级,却被美日纳入出口管制。

莱普科技的技术路线选择带着时代烙印。2008 年切入半导体封装测试设备,2013 年形成自有硼离子注入激光激活技术,2014 年自研第一代光学系统,2015 年开发出 6 寸 /8 寸晶圆退火机台进入量产验证,2018 年硅基超浅结退火机和 SiC 激光退火设备通过工艺验证,2019 年 8 英寸 IGBT 激光退火机台量产验证通过。2021 至 2024 年密集突破:LIC、LIEG 验证通过;USJLA、动态表面合金设备(DALA)面向先进制程逻辑芯片验证通过;激光解键合设备发往国内领先晶圆厂验证。

这套时间线背后是全链条技术能力的构建。招股书显示,公司覆盖激光光源、光路整形、能量密度控制、监测检测、工艺开发、整机设计。2022 年至 2025 年 1 — 9 月,研发费用率维持在 12.56% — 20.90% 区间,研发人员 79 人占员工总数 23.10%。与中科院等科研机构及产业链龙头的深度合作,被写入技术底座的夯实路径。

半导体设备行业的残酷之处在于验证周期。新设备进新客户的完整流程:设备装机→硬件验收→单步工艺验证→工艺整合验证→部分客户要求的量产验证。漫长、昂贵、门槛高。但一旦通过,复购只需单机可靠性与一致性验证,客户不会频繁更换供应商——工艺稳定性与技术秘密保护的双重考量,形成强粘性壁垒。

莱普科技的头部渗透率正是周期验证的结果。其设备覆盖的场景清单包括:先进制程 3D NAND Flash 存储芯片、先进制程 DRAM 存储芯片、28nm 及以下先进制程逻辑芯片、SiC 功率芯片、沟槽栅型 IGBT 功率芯片、先进电源管理芯片、BSI-CCD 芯片量产,以及国产 HBM 芯片工艺研发。客户 A、客户 B、客户 C、客户 D 等未具名头部厂商,与华润微、士兰微、三安半导体、中车时代、华天科技、达迩科技等上市公司共同构成其客户矩阵。

市场空间的测算指向刚性需求。SEMI 数据:2022 年至 2026 年,中国大陆计划运营的新晶圆厂 44 个,占全球比例 40.37%。Knometa Research 数据:同期中国大陆集成电路产能全球占比从 18.2% 升至 22.3%,预计 2026 年超越中国台湾成为全球最大集成电路供应地区。华润微电子 12 英寸集成电路生产线等项目正在推进,设备采购需求持续释放。

激光热处理赛道的 " 长坡厚雪 " 逻辑由此确立。高壁垒转化为头部高渗透率、订单稳定、复购率强的商业模型。莱普科技的 IPO 募资投向产能扩张与研发加码,试图在境外厂商垄断的裂缝中,将 16% 的市占率继续撬开。

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