快科技 5 月 22 日消息，据媒体报道，美国佐治亚理工学院的研究团队成功研制出一款新型 NAND 闪存。

该闪存不仅能够高效处理人工智能（AI）任务，还能承受太空环境中的极端辐射，其抗辐射能力达到传统 NAND 闪存的 30 倍。

这款新型闪存利用了与硅工艺兼容的氧化铪材料的铁电特性——即材料在一定温度范围内会自发产生极化，且极化方向可在外部电场作用下翻转。

这一特性使铁电材料在信息存储、传感、人工智能及新一代低功耗芯片等领域展现出广阔的应用前景。

测试结果显示，该铁电闪存可承受高达 100 万拉德（辐射吸收剂量）的辐射，相当于 1 亿次 X 射线照射，其辐射耐受性达传统存储器的 30 倍。