（来源：伏白的交易笔记）

一 . 半导体产业模式

半导体行业围绕芯片设计、晶圆制造、封装测试三大环节，可分为垂直整合（IDM）、专业化分工（Fabless+Foundry+OSAT）两大类。

1.1 IDM（垂直整合制造）

（1）定义：传统全产业链模式，覆盖设计、制造、封测、销售全环节，不依赖外部代工。

（2）特点：全流程协同性强、供应链自主可控，但需极致重资产投入，行业周期波动与技术迭代风险高。

（3）代表厂商：英特尔、三星、SK 海力士、美光、德州仪器（TI）。

1.2 Fabless（无晶圆厂）

（1）定义：IC 设计厂商主流模式，仅负责芯片研发设计、终端销售，将制造、封测环节外包。

（2）特点：轻资产运营、灵活性高、迭代速度快，但依赖 Foundry 产能与工艺。

（3）代表厂商：英伟达、AMD、高通、博通、海思。

1.3 Foundry（晶圆代工）

（1）定义：仅聚焦晶圆制造，为 Fabless 和 IDM 外溢订单提供代工服务。

（2）特点：规模效应强，工艺跑通后稳定性高，客户粘性高；但需极致重资产投入、工艺壁垒高。

（3）代表厂商：台积电、联电、格芯、中芯。

1.4 OSAT（封测代工）

（1）定义：仅聚焦芯片封装与测试环节。

（2）特点：资本开支低于晶圆厂，传统封装产品附加值不高，先进封装成为新增长极。

（3）代表厂商：日月光（ASE）、安靠（Amkor）、长电、通富。

1.5. Fab-lite（轻晶圆厂）

（1）定义：IDM 与 Fabless 之间的混合模式，企业保留成熟制程、特色工艺的自有晶圆产线，将先进制程需求外包给 Foundry。

（2）特点：兼具 IDM 的协同优势与 Fabless 的灵活性，同时规避先进制程的巨额资本开支风险。

（3）代表厂商：恩智浦、瑞萨电子、意法半导体、安森美。

产业链流程：Fabless（出图纸）→ Foundry（前道制造）→ OSAT（后道封测）。

（1）需求对接：与 Fabless 客户对接芯片设计方案，匹配对应的工艺节点与平台。

（2）掩模版制作：根据客户 GDSII 设计文件，制作（或外包）对应工艺的掩模版（电路图形母版）。

（3）晶圆制造：包括光刻、刻蚀、薄膜沉积、离子注入、清洗、掺杂等数百道工序，完成晶体管、互连线路构建。

（4）晶圆中测（CP）：制造完成后，对晶圆上的每颗芯片进行电性测试，筛选标记出合格裸芯片。

（5）成品交付：交付给客户指定的 OSAT 厂商，完成封测服务。

2.2 发展趋势：跨界先进封装

随着 2nm 工艺突破，晶体管制程已接近物理极限，先进封装成为了提升芯片性能提升的新路径。

为了配合先进制程客户，台积电等头部代工厂已不再局限于传统前道制造，而是将业务边界向后道延伸，大力发展 2.5D/3D 等先进封装。

2.3 核心分类及代表厂商

（1）先进制程（≤ 14nm，高端 CPU/GPU/ASIC）：台积电、格芯、中芯国际。

（2）成熟制程（≥ 28nm）：联电、高塔、力积电、华虹公司（功率 /MCU/ 模拟 / 射频）、晶合集成（显示驱动芯片）、芯联集成（功率 /SiC）、华润微（功率 /SiC/GaN）、燕东微（功率 / 模拟）。