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5 月 17 日，长鑫科技更新科创板招股书，披露了其在 2026 年第一季度的业绩。其收入 508 亿元，同比增长 719.13%；净利润 330.12 亿元，同比增长 1268.45%；归母净利润 247.62 亿元，同比增长 1688.3%。

长鑫科技表示，2026 年 1-3 月，受全球算力需求持续增长、全球主要厂商产能调配等因素影响，全球 DRAM 产品供不应求，价格自 2025 年下半年以来持续呈现大幅上涨趋势。同时，随着公司产销规模的持续增长、产品结构的持续优化，公司营业收入迅速增长。得益于 2026 年一季度 DRAM 产品价格的快速上涨，公司营业利润、利润总额、净利润、息税折旧摊销前利润、归母净利润及扣非后归母净利润均同比大幅增长。

作为国产 DRAM 巨头，长鑫科技能否继续书写其传奇故事？

中国第一、全球第四的 DRAM 厂商

长鑫科技自 2016 年成立，专注于 DRAM 产品的研发、设计、生产及销售，是我国规模最大、技术最先进、布局最全的 DRAM 研发设计制造一体化企业。

在长鑫科技的发展过程中，合肥国资和朱一明均发挥着重要作用。

招股书显示，长鑫科技发行前由清辉集电、长鑫集成、大基金二期、合肥集鑫及安徽省投分别持股 21.67%、11.71%、8.73%、8.37%、7.91%，公司无控股股东和实际控制人。

清辉集电由芯睿投资、长鑫集成、合肥清辉长鑫企业管理合伙企业（有限合伙）三名合伙人持股，其中长鑫集成由合肥省国资委 100% 控股；安徽省投同样由合肥省国资委 100% 持股。合肥集鑫为员工持股平台。也就是说，在长鑫科技的主要股东中，合肥国资占据不少位置。

长鑫科技现任董事长朱一明为兆易创新创始人、董事长，2018 年 7 月至 2023 年，先后任长鑫存储董事、董事长、首席执行官；2020 年 5 月至 2023 年 4 月，任长鑫科技首席执行官；2021 年 2 月至今，升任董事长。

资料显示，2005 年，朱一明回国创办兆易创新。3 年后，兆易创新推出了中国第一颗自主设计的 180nm SPI NOR Flash 芯片。2013 年 4 月，兆易创新推出首颗国产基于 Arm Cortex-M3 的 MCU。2016 年 8 月，兆易创新登陆上交所主板。

也是在兆易创新上市这一年（2016 年 5 月），朱一明与合肥政府就一项存储器项目的发展战略进行研讨，其被称为 "506" 项目。一个月后，长鑫科技的前身在合肥注册成立。2017 年 10 月，兆易创新与合肥产投签署为期 5 年的合作协议，双方将在合肥经济技术开发区联合开展 19nm 制程的 12 英寸晶圆存储器研发项目，项目预算约 180 亿元人民币，由双方按 1:4 比例筹集，合肥产投承担约 144 亿元。

2018 年 7 月，长鑫科技验证投片并试产 8GBDDR4 工程样品；2019 年 9 月，长鑫科技推出自主设计生产的 8Gb DDR4 产品，实现了中国大陆 DRAM 产业从零到一的突破。

目前，长鑫科技在合肥、北京两地拥有 3 座 12 英寸 DRAM 晶圆厂，产能规模位居中国第一、全球第四。长鑫科技采取 " 跳代研发 " 的策略，完成了从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的以及 DDR4、LPDDR4X 到 DDR5、LPDDR5/5X 的产品覆盖和迭代，目前核心产品及工艺技术已达到国际先进水平。

按出货量和销售额统计，长鑫科技已是中国第一、全球第四的 DRAM 厂商。根据 Omdia 的数据，基于销售额测算，2025 年三星电子、SK 海力士和美光科技在全球 DRAM 市场的占有率分别为 33.96%、34.48% 和 23.41%，上述三家企业合计占全球 DRAM 市场 90% 以上的市场份额。按 2025 年第四季度 DRAM 销售额统计，长鑫科技的全球市场份额已增至 7.67%。

预计上半年实现千亿营收

亏损曾是长鑫科技持续面临的问题。2023 年 -2025 年，长鑫科技的收入分别为 90.87 亿元、241.78 亿元、617.99 亿元；归母净利润分别为 -163.4 亿元、-71.45 亿元、18.75 亿元。

在毛利率方面，2023 年 -2025 年，长鑫科技的综合毛利率分别为 -1.93%、5.58%、40.99%。长鑫科技表示，2025 年，随着公司规模应持续显现及产品结构持续优化，同时得益于 2025 年 DRAM 产品价格大幅上涨，公司综合毛利率已转正并大幅提升。

对比来看，2025 年，三星电子的综合毛利率为 39.38%，SK 海力士的综合毛利率为 60.41%，美光科技的综合毛利率为 39.79%。长鑫科技的毛利率水平已与三星电子、美光科技相当。

长鑫科技表示，截至 2025 年 12 月 31 日，公司累计亏损为 366.5 亿元。DRAM 行业具有规模导向属性。为增强产品的市场占有率和竞争力，公司需要持续提升产能规模，而厂房及产线建设等需要高额的固定资产投入，对应固定资产折旧金额较大。报告期内，公司处于产能快速爬坡阶段，产线持续建设并不断升级，相关资产转固后产生的折旧等固定成本较高且金额持续增加，新增产能带来的规模效应尚未完全显现。

2023 年 -2025 年，长鑫科技固定资产账面价值分别为 844.52 亿元、1531.32 亿元和 1830.24 亿元，占期为 43.81%、56.38% 和 54.34%，占比较高且金额持续增加。同期，计提固定资产折旧额分别为 105.55 亿元、148.75 亿元、246.8 亿元，呈上升趋势。

此外，由于 DRAM 行业具有周期性，相关企业业绩波动较大。长鑫科技在招股书中直言，2025 年下半年以来，产品价格的持续上涨带动了公司产品销售毛利率和利润水平的快速提升，并推动公司 2025 年实现扭亏为盈。未来，如果宏观经济发生不利变化或 DRA 行业进入下行周期，出现下游市场需求疲软或产品供应远大于需求的情况，公司的产品销售价格和经营业绩将面临不利影响并出现波动。

不过，目前仍是 DRAM 行业的上行周期。长鑫科技表示，2026 年上半年，随着 DRAM 行业产品价格的持续上涨，以及公司产销规模的持续增长、产品结构的不断优化，公司预计营业收入、净利润、归母净利润和扣非后归母净利润较上年同期均实现大幅增加。

长鑫科技预期，2026 年上半年收入为 1100 亿元 -1200 亿元，同比增长 612.53%-677.31%；归母净利润 500 亿元 -570 亿元，同比增长 2244.03%-2544.19%。

仍有一定的技术代际差距

长鑫科技在招股书中直言，公司工艺技术水平等与三星电子、SK 海力士及美光科技相比仍有一定差距。资料显示，长鑫存储、长鑫新桥、长鑫集电为长鑫科技重要的经营主体。

2025 年 11 月，长鑫存储发布了速率达 8000MT/s 的 DDR5 内存产品，提供 16Gb 和 24Gb 两种单颗颗粒容量，全面覆盖服务器、工作站及个人电脑等应用场景。但三星电子、SK 海力士及美光科技早已在 2023 年便推出了 32GbDDR5 芯片，由此对比，长鑫存储与国际领先技术还有一个代际的技术差异。

在 AI 必需的 HBM（高宽带内容）方面，长鑫科技也存在一定的技术差距。资料显示，HBM 通过将多层内存芯片垂直堆叠，直接与 AI 芯片集成。这种结构设计极大提升了数据传输速度，同时降低了功耗。HBM 制造工艺极其复杂，对良率和量产能力要求极高。

目前，全球 HBM 产能由三星电子、SK 海力士及美光科技垄断。SEMI（国际半导体产业协会）中国总裁冯莉表示，2026 年 HBM 市场规模增长 58% 至 546 亿美元，占 DRAM 市场近四成，需求的徒增，导致供需失衡。尽管，三星、SK 海力士、美光三大原厂已将 70% 的新增 / 可调配产能倾斜至 HBM，但 HBM 产能缺口达 50%-60%。

2025 年 10 月，有消息称，长鑫存储已向中国客户交付 16 纳米制程的 HBM3 样品，预计 2026 年实现全面量产。2026 年 4 月，又有消息称，长鑫存储已启动了 12 层高带宽内存 HBM 的大规模生产，其计划将约 20% 的现有 DRAM 产能转向 HBM 制造。

据媒体报道，目前长鑫 HBM3 的良率较国际头部厂商低 30 个百分点以上，且面临 EUV 光刻机、特种气体等关键设备和材料的供应链约束，量产爬坡仍需时间。

在技术追赶下，此次长鑫科技上市拟募资 295 亿元。其中，75 亿元用于存储器品圆制造量产线技术升级改造项目；130 亿元用于 DRAM 存储器技术升级项目；90 亿元用于动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目。其表示，项目实施后，能够满足公司在 DRAM 行业进一步提高技术及研发实力和加快产能建设与升级的需要。

随着 AI 的迅速发展，存储芯片行业迎来新的发展机遇，以长鑫科技为首的 DRAM 国产企业们，业绩迎来爆发式增长，同时也在努力追赶国际领先技术。但技术代际的差距以及 DRAM 行业固有的周期性波动，仍是其前行路上的严峻考验。此次科创板上市募资，既是长鑫科技加速技术迭代与产能升级的关键一步，也是其应对未来挑战的战略布局。

作者丨五仁