国家知识产权局信息显示，长江存储控股股份有限公司申请一项名为 " 半导体结构及其制造方法 " 的专利，公开号 CN121986565A，申请日期为 2024 年 8 月。

专利摘要显示，所公开的半导体装置包括垂直堆叠的第一和第二半导体堆叠体。第一半导体堆叠体包括：第一存储器阵列层，包括第一存储器单元阵列；第一外围电路层，包括形成在第一半导体层上的第一晶体管；以及第一互连结构，垂直延伸穿过第一半导体堆叠体，位于相邻的第一存储器单元阵列之间，并且延伸穿过第一半导体层。第二半导体堆叠体包括：第二存储器阵列层，包括第二存储器单元阵列；第二外围电路层，包括形成在第二半导体层上的第二晶体管；以及第二互连结构，第二互连结构垂直延伸穿过第二半导体堆叠体，位于相邻的第二存储器单元阵列之间，并且延伸穿过第二半导体层。第一互连结构与第二互连结构接触，并且第一半导体层面向第二半导体层。

天眼查资料显示，长江存储控股股份有限公司，成立于 2016 年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本 1782000 万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储控股股份有限公司共对外投资了 7 家企业，参与招投标项目 3 次，专利信息 49 条，此外企业还拥有行政许可 4 个。

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作者：情报员