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台积电豪掷560亿美元扩产,CEO却坦言芯片短缺将延续至2027年以后
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台积电正以创纪录的资本支出押注 AI 芯片需求,但即便如此,这家全球最大晶圆代工商也坦承无法跟上需求步伐。

台积电本周在财报电话会议上宣布,2026 年资本支出预计将达到 560 亿美元,资金将全部用于新建晶圆厂及升级现有产线。然而,CEO 魏哲家明确表示,尽管投入巨资,公司仍预计供应短缺将持续至 2027 年乃至更长时间,而非仅限于 2026 年。

这一表态直接揭示了当前 AI 超级周期下半导体行业的核心矛盾:需求扩张速度远超产能建设周期。从 GPU、CPU 到内存,再到电压调节器、集成电路、线缆等配套材料,整条供应链目前均处于短缺状态,对英伟达、AMD、苹果等主要客户的晶圆订单续签形成制约。

全球建厂计划:中国台湾省、美国、日本三地同步推进

为应对持续攀升的 3 纳米制程需求,台积电正在全球范围内执行多地并行的产能扩张计划。

在中国台湾省,台积电将在台南科学园区的 GIGAFAB 集群内新增一座 3 纳米晶圆厂,预计 2027 年上半年投入量产。在美国亚利桑那州,第二座晶圆厂同样采用 3 纳米制程,建设工程已竣工,量产时间定于 2027 年下半年。在日本,台积电计划将第二座晶圆厂升级至 3 纳米制程,量产时间预计为 2028 年。

魏哲家在财报会议上表示,除新建晶圆厂外,公司还在持续将中国台湾省现有的 5 纳米设备转换为支持 3 纳米产能,并在 N7、N5、N3 节点之间推行灵活的产能调配机制,以最大化对所有客户的支持力度。他同时强调,在产能紧张的情况下,台积电不会在客户之间厚此薄彼。

需求端压力:AI 应用渗透全产业链

推动此轮供应紧张的核心驱动力来自 AI 需求的全面爆发。随着 Agentic AI 兴起,对高带宽内存(HBM)及 LPDDR 的需求大幅攀升,AI 应用对算力基础设施的消耗已从数据中心蔓延至汽车、物联网等多个终端市场。

英伟达、AMD、苹果等科技巨头持续更新晶圆订单,进一步加剧了台积电的产能压力。魏哲家指出,现有产线一旦达到峰值产能,将启动升级改造以补充增量需求,但这一过程需要时间。

供应瓶颈也促使部分厂商开始分散代工布局。据悉,特斯拉正同时与台积电和三星合作开发下一代 AI 芯片,并推进与英特尔的 Terafab 合作计划;英特尔亦被传将凭借其 14A 制程工艺在年内赢得重要客户;三星则在代工业务上迎来更多客户询单,但其当前重心仍集中于 HBM 等存储芯片生产。

产能瓶颈短期难解,投资者需关注长周期风险

台积电 560 亿美元的资本支出计划规模庞大,但晶圆厂从建设到量产的周期通常长达数年,这意味着即便资金到位,产能释放也难以立竿见影。中国台湾省和美国新厂最早要到 2027 年下半年才能实现量产,日本工厂则要等到 2028 年。

这一时间表意味着,在未来两到三年内,AI 芯片供应紧张的格局将大概率延续,相关产业链的交货周期和采购成本压力难以快速缓解。对于依赖先进制程芯片的科技企业而言,供应链管理和产能锁定能力将成为影响其竞争格局的关键变量。

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