快科技 3 月 30 日消息，据韩媒 ETNEWS 报道，位于西安的三星电子 NAND 晶圆厂已正式实现 V8（236 层堆叠）3D NAND 闪存的量产。

本次制程升级工作自 2024 年启动，在原有 V6（128 层）NAND 生产线基础上完成技术改造，旨在提升产品性能与生产效率，满足 AI 时代对高性能存储设备的需求。

三星电子中国西安工厂

在量产 V8 NAND 后，三星西安晶圆厂的下一步已瞄准 286 层堆叠的 V9 NAND，相关生产线将位于 X2 工厂，计划在 2026 年内完成转换并开始大规模生产。

据悉，3D NAND 闪存的堆叠层数是衡量厂商技术实力的核心指标，更高的堆叠层数可实现更大的单芯片存储容量、更优的读写性能与更低的单位存储成本，是全球存储厂商技术竞赛的核心赛道。

值得一提的是，中国最大的 NAND 闪存制造商长江存储（YMTC）早已实现 294 层闪存的量产，其自研的 Xtacking4.0 技术更是将堆叠层数推向 300 层以上。

这使得其他厂商越来越难以抵御来自中国本土的 200 层以下闪存产品的竞争。

在技术竞赛的同时，韩国巨头正采取 " 价格防御 " 策略，三星计划将 NAND 晶圆年产量从 2025 年的 490 万片降至 2026 年的 468 万片，SK 海力士也将从 190 万片降至 170 万片，减幅均约 10%。

市场研究机构 Omdia 指出，韩国厂商此举意在优先保障高利润的 DRAM 和 HBM 产能，同时应对长江存储在通用型 NAND 市场的激烈竞争。

从市场份额看，三星、SK 海力士合计占据全球 NAND 市场超 60% 份额，而长江存储已跃居全球第三大 3D NAND 闪存厂商。

技术层面，长江存储在存储密度上已达到世界领先水平，良品率稳定突破 90%，大幅提升了成本竞争力。

产能方面，长江存储武汉三期工厂预计 2026 年下半年投产，月产能目标冲刺 30 万片晶圆，三年内产能接近翻倍。