3 月 30 日，三星电子已完成西安工厂工艺升级的第一阶段，逐步淘汰了传统的 128 层（V6）NAND 闪存，并已开始量产 236 层（V8）产品。目前，三星电子正在筹划进一步的升级，预计将于今年完成向 286 层（V9）NAND 闪存的过渡。（财联社）