快科技 3 月 30 日消息，HBM 已经成为 AI 领域的关键芯片之一，重要性甚至不亚于 GPU 等计算芯片，HBM 需求爆发也是导致本轮内存大涨价的主要推动力。

目前国际上最新一代的 HBM 已经到了 HBM4，AMD 及 NVIDIA 今年上市的 MI450、Vera Rubin 系列会率先用上 HBM4 内存，不过 HBM3e 依然会是主流的选择。

在日前的 SEMICON China 2026 展会上，也有国内厂商展出 HBM 相关产品，其中长电科技就拿出了 HBM3e 封装方案，采用先进的 2.5D 堆叠技术，互联密度提升 20%，带宽提升到了 960GB/s。

HBM3e 可以完美适配 3nm 及以下工艺的高端 AI 芯片，而且目前已经获得 AMD、NVIDIA 等巨头的订单。

不过需要注意的是，长电科技是国内知名的芯片封装企业，本身并不生产 HBM3e 芯片，不论是 Base Die 基座芯片还是 DRAM 内存芯片，他们做的是封装解决方案，把这些芯片封装为 HBM3e 成品。

目前不确定他们的 HBM3e 芯片来源是哪家，当然万一是国产芯片解决了卡脖子问题就更好了。

也是在 SEMICON China 2026 展会上，长电科技 CEO 郑力在主题演讲中提到，传统晶圆制造已逼近 1nm 物理极限，成本与量子隧穿效应构成显著瓶颈，原子级封装正成为后摩尔时代的核心突破路径。

依托 ALD 原子层沉积、混合键合等四大核心技术，长电科技实现封装精度跨量级提升：对准精度从 ± 5 μ m 推进至