作者 | 白河

AI 算力缺口推动全球内存市场升温，SK 海力士一笔 150 亿美元扩产公告，进一步引燃本就疯狂的存储行情。

日前，SK 海力士宣布要在 2030 年底前追加 150 亿美元投入龙仁半导体集群首座晶圆厂建设，资金将用于完成工厂主体结构建设及核心生产设施部署，目标是进一步扩大先进制程晶圆产能，以应对全球 AI、高性能计算等领域爆发式增长的存储芯片需求。

在这一轮追投后，龙仁晶圆厂项目的总投资金额将会达到 215 亿美元，工厂首条产线投产时间预计将提前至 2027 年 2 月。

受这个利好消息影响，SK 海力士股价一度突破 109 万韩元 / 股，总市值创下 783.3 万亿韩元的历史新高。

得益于 AI 大基建带来超级周期，近期内存行业暂时跳出了 " 扩产即过剩 " 的产能魔咒，回归久违的卖方市场，而纵观 2025 年，押注 AI 高端产能的 SK 海力士全年营业利润高达 47.21 万亿韩元，首次反超三星成为韩国存储新王。

在完成从 " 千年老二 " 到行业一哥的身份跃迁后，SK 海力士并没有躺在功劳簿上数钱的心思，而是选择主动出击，试图通过积极配置上游产能布局，将后续盈利空间和风险可控性掌握在自己手中。

然而激进与冒进只有一字之差，追投 150 亿美元扩产豪赌 AI 需求的另一面，SK 海力士产品结构渐趋单一、对手反击、国产替代加速推进等潜在风险，也值得客观审视。

豪掷 150 亿美元的底气何在

SK 海力士这轮豪掷 150 亿美元扩产的底气，几乎都写在前不久发布的那份 " 历史最强 " 财报。

公司 2025 年财报显示，过去一年 SK 海力士三大核心经营指标均创下新高，是 AI 掘金潮中的最强卖铲人。

具体来看，SK 海力士去年全年营收达 97.15 万亿韩元（约合人民币 4528 亿元），同比增长 47%；营业利润为 47.21 万亿韩元（约合人民币 2199 亿元），同比增长 101%，营业利润率达 49%；净利润 42.95 万亿韩元（约合人民币 2001 亿元），同比增长 117%。

图示：SK 海力士 2025 年财报

值得关注的是，在 AI 大基建需求驱动下，公司 HBM 产品销售额同比增长逾一倍，成为 SK 海力士这次创下历史最高业绩的核心增长引擎。

图示：SK 海力士官网展示的 HBM4 形态

同时，这也是自 SK 海力士创立以来营业利润首次超过三星电子，公司因此一跃成为全球存储行业盈利榜首，自去年 6 月 DRAM 市占率超过三星后，SK 海力士在又一关键指标上完成对三星的反杀。

盈利能力的持续改善，直接转化为充沛的现金流支撑，标普预测公司 2026 年营运现金流将高达 82 万亿韩元，SK 海力士亦深谙 " 钱花出去才是自己的 " 道理，在这轮 150 亿美元追投计划公布之前，其已经掏出去年营业利润的 10% 用作员工分红，预计全球 3.3 万名员工平均可获得超过 1.36 亿韩元（约合人民币 64 万元）的奖励。

除了亮眼的业绩，推动 SK 这次扩产追投的另一关键因素，是全球存储行业仍在不断扩大的产能缺口。

SK 海力士年初表示，2026 年全年包括 HBM 与高端 DRAM 在内的存储产品产能已全部售罄，并且已经提前和英伟达、AMD 等头部厂商签订了长期供应协议。

其中，据媒体最新综合报道，作为英伟达的核心供应商，2026 年 SK 海力士有望获得英伟达 Vera Rubin 平台约七成 HBM4 订单，远超此前市场预期。

而从全球市场来看，据 Counterpoint 统计，SK 海力士的 HBM 产品市占率接近 60%，显著高于三星与美光，在市场中拥有明显的主导权，随着 AI 基建狂热持续，这一主导权将会继续转换为直接产能需求。

为此，SK 海力士正逐步缩减低毛利消费级存储产品的产能，将有限的晶圆资源和加工能力向高附加值的高端存储产品倾斜，而这次追投龙仁晶圆厂的举措，则是 SK 海力士主动优化产能结构战略的重要一环。

随着龙仁晶圆厂的加速落地，SK 海力士前后端全球一体化制造能力已经初步成型。

具体来看，当前利川 M16 与清州 M15X 负责满足当前的 HBM 市场需求，规划中的龙仁首厂则定位为 HBM4 及更高代次产品的旗舰基地，中国无锡、大连工厂将继续聚焦成熟制程，稳定提供现金流，而清州 P&T7 工厂和美国印第安纳州先进封装工厂则主要负责后段封装工艺。

该如何理解 SK 海力士的决心

要进一步理解 SK 海力士这轮激进的扩产计划，还要从公司 " 千年老二 " 的定位说起。

SK 海力士的前身是 1983 年成立的现代电子半导体部门，作为韩国存储产业的早期参与者，其初期发展始终受行业周期波动与巨头竞争的双重挤压，多次陷入经营困境。

亚洲金融风暴期间，现代电子由于身负巨额债务，正处于行业下行周期的半导体部门成为集团的经营负担；当现代电子脱离现代集团正式更名为海力士时，公司已经资不抵债，濒临破产，后续在韩国行业协会的支持下，才勉强摆脱被收购的命运，得以存续。

此后十年，海力士始终在行业周期中挣扎求生。

行业下行期时，被迫缩减研发投入、变卖资产以维持经营，甚至关停部分低效原有产线；好不容易熬到行业复苏期，又因业务布局分散、缺乏核心优势，被三星凭借规模优势持续压制，长期处于行业第二梯队，盈利水平极不稳定。

这些反复出现的经营问题让海力士逐渐意识到，纵观半导体行业竞争历史，长期缺席高附加值核心赛道，终究难以在行业站稳阵脚。

2012 年，SK 集团以约 30 亿美元的代价收购海力士，将其更名为 "SK 海力士 "，此次收购成为公司战略转向的关键节点，基于此前的经营教训，完成整合后的 SK 海力士开始围绕核心关键业务和自主技术做文章。

一边主动收缩分散业务，一边围绕 " 未来愿景 " 进行了大规模产线升级，与此同时 SK 海力士还将目光投向了当时小众但潜力巨大的 HBM 领域。

彼时 HBM 尚属于高性能计算领域的小众产品，市场需求有限，长期投入难以快速看到回报，但 SK 海力士认为随着全球科技行业的高速发展，服务器级别的 DRAM 产品有望迎来爆发，依托世宗、利川原有工厂的研发与生产能力，SK 海力士开始逐步积累相关技术优势。

2013 年，工程师出身的 CEO 朴星昱上任后，SK 海力士开始进一步聚焦存储核心业务，精简冗余业务板块，将有限的资源集中投入到 HBM 等前沿技术研发中。

图示：Sk 海力士押注 HBM 的关键节点

此后，在 HBM 市场需求尚未爆发的长达十多年间，SK 海力士逐步完成从 HBM2 到 HBM3、HBM3E、HBM4 的技术迭代，而随着 AI 产业初露端倪，HBM 需求开始缓慢释放，SK 海力士这一早期布局逐步收获回报。

从市场需求结构来看，押注 AI 高性能产品是一门高风险高回报的投资艺术，AI 服务器对 HBM 的需求量远高于普通服务器，单台 AI 服务器的 HBM 需求量约为普通服务器的 8 到 10 倍，需求一旦爆发规模将相当可观，2025 年全球持续性缺货验证了 SK 海力士当年的超前眼光。

如今看来，SK 海力士的对于 AI 爆发、高性能 DRAM 产品市场需求的判断，早在 14 年前已经写下，2025 年能够一举拿下 HBM 细分赛道超过 60% 的市场份额，更多是对公司长期坚持低回报投入的回收。

至于如今的激进追投，不过是 SK 海力士长期押注这条 AI 赛道的必然延伸。

是护城河，也是双刃剑

SK 海力士的扩产，不仅体现了自身的战略布局，在全球 AI 基建狂热正盛的当下，更直接牵动全球存储行业的格局。

随着 SK 海力士打破行业平衡，并且继续加速 AI 产品产能布局，三星、美光相继启动反击回应，行业竞争日趋激烈。

就在 2 月 12 日，三星宣布 HBM4 提前商业化量产，目标显然是针对 SK 海力士在去年 9 月宣布的 HBM4 量产体系，据了解，三星的 HBM4 产品将采用 1c DRAM 工艺和混合键合封装技术，带宽 11.7Gbps，目前采用 12 层堆叠技术可提供 36GB 容量，未来若采用 16 层堆叠，容量可扩展至 48GB。

虽然目前三星 HBM4 良率仅为 60%，但也总算赶上第一波 HBM4 交付时间节点。

不仅如此，三星还计划进一步关停落后产线，将资源集中投向 HBM4 和 1c DRAM 产能，希望 2026 年 HBM 销量较 2025 年增长 3 倍以上，目标将市占率从 17% 提升至 25% 到 30%，并计划在 2027 年推出定制化 HBM，试图从 SK 海力士中夺回市场优势。

至于美光则采取差异化竞争策略，尝试通过重点布局多区域供应链，避开与韩系厂商正面抗衡。

按照美光公告，公司正积极推进纽约、爱达荷州晶圆厂建设，同时收购台湾力积电铜锣厂、投资日本广岛工厂，以此降低单一区域的风险，缩小与韩系厂商的技术差距，行业消息称，美光计划在 2026 年内将其 HBM4 产能提升至 1.5 万片，这将占到其本身 HBM 总产能近 30%。

全球 DRAM 市场格局已经从过往三足鼎立，变成 " 韩系双雄 + 美光 " 的局面，在这其中，SK 海力士又以半断层的优势遥遥领先，然而这一切都是建立在 AI 需求持续保持高度繁荣前提上。

需要明确的是存储行业的周期性并未消失，只是被 AI 需求的热度暂时掩盖，SK 海力士将发展重心高度集中于 AI 存储，一旦 AI 周期出现反转，巨额扩产带来的产能与资金压力，可能使其陷入经营被动。

特别是若未来 AI 资本开支降温、需求调整或技术路线迭代，SK 海力士产品结构单一的短板有可能造成业绩大幅下滑。

值得关注的是，当 SK 海力士聚焦高端 AI 存储、收缩中低端业务的同时，客观上也在为国产存储厂商提供了一个难得的突围窗口。

中国国产替代进程持续加速，这可能是目前全球存储市场最具长期影响力的变量，因为当全球视野聚焦在高端 HBM 产品领域时，国产存储在消费端产品的替代步伐正在以肉眼可见的速度变强。

其中，长鑫存储的 DDR5 良率已经突破 90%，全球市占率达 8%，依托成本优势，正逐步实现中低端 DDR5 的替代，同时公司加速先进制程研发，未来有望渗透高端服务器 DRAM 市场，进一步挤压 SK 海力士的市场空间

而在 NAND 领域，长江存储的 3D NAND 产能持续提升，特别是其原定于 2027 年实现量产的武汉三期晶圆厂，有望提前至 2026 年下半年正式启动，比原计划整整提前一年。

数据显示，长江存储全球市占率已从 2024 年的 9% 跃升至 2025 年第三季度的 13%，首次突破 10% 大关，若三期项目如期在 2026 年下半年量产，其市场份额有望冲击 15% 以上，进一步逼近全球前四。

对于 SK 海力士而言，尽管 AI 存储的高景气周期仍在持续，行业竞争与市场风险也在逐步累积。

追投 150 亿美元扩产体现了如今贵为行业一哥的 SK 海力士战略魄力和对 AI 行业未来的乐观预期，然而在半导体行业没有永恒的领先者，唯有持续适应市场变化、优化战略布局、坚守技术创新，同时兼顾全球产能的合理分配与风险对冲，才能在行业迭代中保持竞争力。

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