快科技 2 月 26 日消息，据媒体报道，随着存储芯片技术持续迭代，三星正加速告别传统工艺。自 2013 年率先量产 3D V-NAND 闪存以来，三星逐步将传统的 2D NAND 产线转向 3D 堆叠架构。

时隔十余年，这条技术过渡路线迎来了重要节点：三星最后一条 2D NAND 产线即将正式退出历史舞台。这条位于华城 12 号的生产线目前月产能约 8 万至 10 万片 12 英寸晶圆，三星最早将于 3 月停止其运营。

不过，这并非简单的关停，而是产线角色的转换——它将被改造为 DRAM 后处理车间，专注于金属布线和表面处理等前端工艺完成后的后续工序。升级之后，该产线将分担华城工厂其他 DRAM 生产线的工作量，从整体上提升生产效率。

事实上，这一调整早有迹可循。三星电子在去年第四季度的财报中已透露，将从传统工艺向先进工艺过渡，包括停止生产传统的 2D NAND。

当前，2D NAND 主要应用于 U 盘等低成本存储设备，但随着 3D NAND 的普及，市场需求已大幅萎缩，主要 NAND 厂商均已基本完成向 3D 闪存的过渡。

此番华城 12 号线升级完成后，三星的产能布局将更加清晰：华城工厂将全力生产 DRAM 内存，而平泽工厂则继续兼顾 DRAM、NAND 生产。

值得注意的是，原本平泽 P4 产线混用 DRAM、NAND 和晶圆代工生产，如今新的规划倾向于聚焦 1c DRAM 的生产。与此同时，三星位于西安的工厂将继续负责 NAND 生产，并同步推进产线工艺的转换。

三星此次产线调整，不仅是为了优化资源配置，更是为下一代高带宽内存（HBM4）铺路——改造后产出的 1c DRAM，正是 HBM4 的重要基础。根据三星的规划，预计今年下半年，1c DRAM 的总晶圆产能将达到每月约 20 万片。