钛媒体 App 2 月 25 日消息，据报道，业内人士透露，三星电子内部已实现 1c DRAM 80% 的良率，这是在高温环境下（热测试）取得的最高良率，2025 年第四季度其良率约为 60-70%，如今已显著提升，并有望在 5 月份左右达到 90%。业内人士进一步表示，三星基于 1c DRAM 的 HBM4 的良率也有所提高，已接近 60%，去年第四季度约为 50%。（广角观察）