钛媒体 App 2 月 12 日消息，SK 海力士近日通过发表在 IEEE（电气与电子工程师协会）全球半导体大会上的论文，提出了一种新型半导体结构。该结构采用了 HBM 和 HBF 两种技术，公司将 8 个 HBM3E 和 8 个 HBF 置于英伟达 Blackwell 旁进行实验，结果表明，与单独使用 HBM 相比，这种配置可以将每瓦计算性能提升高达 2.69 倍。（广角观察）