快科技 2 月 9 日消息，三星电子将于本月下旬，也就是农历新年假期（今年 2 月 17 日为农历初一）之后，正式向 NVIDIA 批量交付 HBM4 高带宽存储芯片，标志着全球范围内 HBM4 芯片首次实现大规模量产与出货。

业内消息显示，三星电子已顺利通过 NVIDIA HBM4 芯片的全部认证流程，交付时间精准匹配 NVIDIA 新一代人工智能加速器的发布计划，其中就包括 Vera Rubin 平台。

据悉，NVIDIA 计划在 3 月 16 日至 19 日举办的 GTC 2026 大会上，首次公开展示搭载三星 HBM4 芯片的 Vera Rubin 人工智能计算平台。

NVIDIA CEO 黄仁勋在上月的 CES 2026 展会上就曾透露，Vera Rubin 平台已全面进入生产阶段。这也让市场对该平台 2026 年下半年的正式推出充满期待，而三星 HBM4 的及时交付，将为其顺利落地筑牢关键基础。

据悉，此次三星量产的 HBM4 芯片，性能大幅超越行业现行标准。工艺方面，DRAM 单元芯片使用 1c 工艺（即第六代 10nm 级 DRAM 技术），基板芯片则采用 4nm 代工厂工艺，这一组合直接推动 HBM4 芯片性能实现跨越式提升。

具体来看，三星 HBM4 的数据处理速度可达 11.7Gbps，比行业标准机构 JEDEC 设定的 8Gbps 高出约 37%，也较上一代 HBM3E 的 9.6Gbps 提升 22%；单堆栈存储带宽达 3TB/s，是上一代产品的 2.4 倍。

该芯片采用 12 层堆叠技术时可提供 36GB 容量，未来升级至 16 层堆叠后，容量还能进一步拓展至 48GB。

简单来说，HBM（高带宽存储）是专为 AI 加速器、高性能计算设备设计的高端存储芯片，核心作用是破解算力提升带来的内存带宽瓶颈，也是 AI 大模型训练、自动驾驶等前沿领域的核心器件。

当前全球 AI 算力需求持续爆发，HBM 市场需求也随之快速增长。此次 HBM4 芯片大规模量产，不仅能推动全球存储技术迭代升级，更能为下一代 AI 计算平台的性能突破提供有力支撑。