2 月 9 日消息，三星电子即将启动 HBM4 高带宽内存芯片的量产计划，相关产品将用于人工智能基础设施建设。受此消息影响，三星电子股价当日一度上涨 6.4%。

据韩联社援引产业人士消息报道，三星计划最早于 2 月第三周开始向英伟达供货 HBM4 内存芯片，该产品将用于英伟达下一代 Vera Rubin 架构的 AI 加速器。HBM4 是高带宽存储领域的最新一代产品，被视为支撑大模型训练和数据中心算力扩张的关键组件之一。

长期以来，三星在高带宽内存领域处于追赶地位。此前，SK 海力士率先成为英伟达的主要 HBM 供应商，在 HBM3 及相关产品上占据领先优势。此次 HBM4 量产进展，被市场视为三星正在缩小与本土竞争对手之间差距的重要信号。

在本次上涨之前，三星电子股价在 2026 年年内已累计上涨超过 30%。内存芯片价格回升，是推动整体半导体板块表现的重要因素之一。随着人工智能需求持续扩张，主要内存厂商普遍受益。

数据显示，自 2025 年第四季度以来，在亚马逊、Alphabet 等超大规模云厂商持续加码算力投入的带动下，部分内存芯片价格已接近翻倍。与此同时，AI 数据中心相关资本开支的上升，也推高了美国市场中多只科技股的表现。

据彭博汇总的市场预期，2026 年包括 Meta、Alphabet、亚马逊和微软在内的多家超大规模科技公司，计划合计投入约 6500 亿美元用于数据中心及相关基础设施建设。受此带动，英伟达股价近期亦出现明显上涨。