近日，备受瞩目的 "2026 半导体投资年会暨 IC 风云榜颁奖典礼 " 在上海隆重举行。东方晶源凭借在 AI 赋能半导体先进制程良率提升领域的突破性创新与卓越实践成效，经主办方评委会从 AI 技术应用的深度与广度、实际业务提升效果、行业影响力与创新性三个维度严苛遴选，成功斩获 " 年度 AI 赋能企业先锋奖 "，成为 AI 技术与半导体产业深度融合标杆。

本届 IC 风云榜由半导体投资联盟和集成电路投资创新联盟主办、ICT 知识产权发展联盟协办、爱集微承办，以 "AI 赋能・共筑未来——技术创新与产业融合之路 " 为核心主题，是国内集成电路领域极具权威性与影响力的行业盛会。" 年度 AI 赋能企业先锋奖 " 旨在表彰 2025 年度在人工智能（AI）及大模型技术应用方面表现卓越，成功推动企业产品升级、业务转型或效率提升，并在行业内产生示范效应的企业，堪称半导体行业 AI 应用领域的 " 风向标 "。

作为国内集成电路良率管理领军企业，东方晶源自 2014 年创立以来，始终秉持 HPO 一体化良率理念，积极构建 " 设备 - 数据 - 算法 " 三位一体的技术体系。面对芯片工艺向先进节点演进中，图形化（Patterning）相关的系统性良率损失已成为制约晶圆厂研发效率提升、量产成本降低这一行业核心痛点，公司创新性推出 DMC（Design Manufacturability Check）、PHD（Patterning Hotspot Detection）、vPWQ（Virtual Process Window Qualification）三大 AI 赋能核心工具。该系列产品以 "AI 赋能重构图形化工艺模型 " 为核心逻辑，通过提前识别 Patterning 潜在坏点，打造从 " 设计 - 掩模 - 光刻 - 刻蚀 " 的全流程良率管控方案，精准破解行业痛点，为国内晶圆厂减少对海外高端仿真、制造工具的依赖提供有力支持，助力国内集成电路制造业突破先进制程技术瓶颈、提升竞争力。

其中，DMC 作为设计端 " 良率前置哨兵 "，通过 AI 驱动的 D2C 引擎绕开传统复杂流程，直接快速预测光刻轮廓，反馈效率提升 100 倍以上，可在流片前精准识别潜在风险；PHD 以 " 基础 OPC 建模 +SEM 图像处理 +AI 辅助建模 " 融合创新，构建动态坏点预测模型，打破传统模型 " 静态固化 " 局限，大幅提升复杂版图检测精度；vPWQ 则将仿真检测延伸至刻蚀环节，采用 " 传统 Etch Term+AI Term" 混合建模，精准预测刻蚀后轮廓，助力晶圆厂缩短流片次数。

目前上述点工具已在国内先进节点 FAB 完成硅片数据验证，获得客户高度认可。特别是在近期举办的 IWAPS（国际先进光刻技术研讨会）上，东方晶源合作 FAB 公布了 vPWQ 即基于刻蚀模型的仿真检测在量产线的应用成果，表明 vPWQ 产品可精准仿真坏点，缩短流片次数。再次印证相较于传统方案，该系列产品在良率提升、成本节约和缩短周期等多个核心维度上具有重要价值。

此外，为打通 " 量测数据 - 工艺建模 - 良率优化 " 的全链路，东方晶源除了提供 DMC、PHD、vPWQ 三款核心点工具外，还构建了覆盖电子束量检测装备（CD-SEM、EBI 和 DR-SEM）、AI 赋能的数据管理平台（YieldBook）、装备 Recipe 离线配置软件（oDAS、PME）的完整产品矩阵。同时，以 HPO 理念为核心，将 " 硬件量测 " 与 " 软件建模 " 作为良率优化的两大支柱，构建了覆盖 Patterning 全流程的良率管控能力，进而形成了难以复制的差异化优势和核心竞争力。

" 此次获奖是 IC 风云榜组委会及行业对东方晶源 AI 技术创新与产业赋能成果的高度认可。" 东方晶源相关负责人表示，" 半导体先进制程的竞争本质是良率的竞争，而 AI 是破解良率瓶颈的核心引擎。未来，公司将持续深化 AI 与半导体制造全流程的融合创新，迭代优化核心技术与解决方案，与产业链伙伴携手构建自主可控的产业生态，为中国集成电路产业高质量发展注入更强动力。"