盖世汽车 2025-12-16
英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 750V G2封装技术
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盖世汽车讯 12 月 10 日,英飞凌科技股份公司(Infineon Technologies AG)推出全新 CoolSiC ™ MOSFET 750V G2 封装技术,旨在为汽车和工业电源转换应用提供最高的系统效率和功率密度。这项最新创新技术现已推出多种封装形式,包括 Q-DPAK 和 D2PAK,其典型导通电阻(RDS ( on ) )在 25 ° C 下最高可达 60 m Ω。

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