近期，刚于 8 月 20 日登陆港交所的全球碳化硅（SiC）衬底龙头——天岳先进（02631.HK）股价反复活跃，市场关注度与讨论度显著升温。

截至 2025 年 11 月 14 日发稿，公司股价冲高至 53.3 港元 / 股，较 8 月 20 日港股发行价 42.8 港元累计上涨 24.5%，在半导体板块波动行情中走出独立行情。此外，天岳先进（688234.SH）A 股表现同样抢眼，年初至今股价累计涨幅达 48%。

究其原因，这波热度的核心逻辑，在于碳化硅应用场景的跨界突破——从传统新能源领域，向高附加值的 AI 算力芯片领域延伸。而天岳先进凭借在大尺寸衬底的技术领跑与头部客户绑定优势，或有望直接成为这一产业变革的直接受益者。

据公开信息，天岳先进是全球碳化硅衬底领域龙头，自成立以来即专注于碳化硅衬底的研发与产业化。

身为头部企业，天岳先进的行业地位毋庸置疑。根据弗若斯特沙利文统计，以 2024 年营收计算，公司是全球排名第二、国内第一的碳化硅衬底厂商，市场份额达 16.7%，是国内少数能与国际巨头同台竞争的企业。

近日，行业传出重磅消息，英伟达正计划在新一代 GPU 芯片的先进封装环节中采用 12 英寸碳化硅衬底，预计最晚将在 2027 年导入。这一技术路线的转变，意味着碳化硅的应用正从传统的新能源领域，向更高端的 AI 算力芯片领域拓展。

背后的原因，或源于 AI 芯片高功耗和高密度封装对散热和结构强度的极限要求。与传统材料相比，碳化硅具有更高的热导率和更优异的热稳定性，能够有效解决高端芯片的散热难题，成为先进封装的理想选择。

未来随着算力芯片和数据中心加速上量，SiC 有望被推上先进封装 " 主角 " 位置，其长期景气度无虞。

华西证券研报指出，如 CoWoS 未来将 Interposer 替换为 SiC，且如按 CoWoS 2028 年后 35% 复合增长率和 70% 替换 SiC 来推演，则 2030 年对应需要超 230 万片 12 吋 SiC 衬底，等效约为 920 万片 6 吋，远超当前产能供给。而中国大陆 SiC 具备投资规模、生产成本、下游支持的三大优势，未来有望重点受益。

公开资料显示，天岳先进是全球碳化硅衬底龙头，已成功研制 12 英寸半绝缘 / 导电型衬底，切入英伟达封装供应链。

业内人士也评价称，天岳先进在碳化硅衬底领域的技术积累和产业化能力，使其在全球竞争中处于有利地位。公司在大尺寸衬底方面的突破，正好契合了未来 AI 芯片对先进封装材料的需求。

诚然，"AI 新场景 " 为碳化硅赛道注入了新的想象空间——碳化硅衬底在 AI 芯片中介层的应用，可能成为行业新的增长曲线。天岳先进近期的反复活跃，正是反映了市场对这一新场景的期待。