钛媒体 App 11 月 11 日消息，相关报道援引业内人士透露，SK 海力士正在研发高带宽存储（HBS）技术，该技术最多可堆叠 16 个 DRAM 和 NAND 闪存模块，并通过垂直导线扇出（VFO）连接，从而提高数据处理速度，有望让未来的智能手机和平板电脑具备更强大的 AI 算力。（广角观察）
钛媒体 App 11 月 11 日消息，相关报道援引业内人士透露，SK 海力士正在研发高带宽存储（HBS）技术，该技术最多可堆叠 16 个 DRAM 和 NAND 闪存模块，并通过垂直导线扇出（VFO）连接，从而提高数据处理速度，有望让未来的智能手机和平板电脑具备更强大的 AI 算力。（广角观察）
登录后才可以发布评论哦
打开小程序可以发布评论哦