SK 海力士已成功完成与英伟达 HBM4 明年供应的谈判，提前锁定明年的创纪录业绩。

据媒体最新报道，韩国半导体巨头SK 海力士在与英伟达的第六代高带宽内存 ( HBM4 ) 供应谈判中占据上风，并成功将其价格提升逾 50% 至每颗约 560 美元，巩固了其在高端存储芯片市场的主导地位。

这款 HBM4 将搭载于英伟达明年下半年发布的下一代人工智能芯片 Rubin。SK 海力士今年 3 月率先向英伟达交付全球首个 HBM4 12 层堆栈样品，6 月即开始供应初始批次。随着 AI 基础设施投资热潮推高整体存储芯片需求，SK 海力士的议价能力得到强化。

分析师预计，基于 HBM4 的高利润率和通用型 DRAM 价格飙升，SK 海力士明年营业利润可能突破 70 万亿韩元创下历史新高，该公司已提前售罄明年产能。

技术升级推高成本，HBM4 涨价逾 50%，英伟达让步

HBM4 的大幅提价有技术基础支撑。

该产品的数据传输通道 ( I/O ) 达到 2048 个，是前代 HBM3E ( 1024 个 ) 的两倍。此外，连接图形处理器 ( GPU ) 和 HBM 的基础芯片中新增了计算效率和能源管理等逻辑工艺。

考虑到这些技术进步带来的成本增加，SK 海力士从 HBM4 开始将此前自主生产的基础芯片外包给台积电。该公司最初向英伟达提出的 HBM4 价格为 500 多美元，较前代产品提价逾 50%。

英伟达最初对大幅涨价表现出抗拒，考虑到三星电子和美光将大规模供应 HBM4，双方一度陷入僵持。但最终供应价格敲定在 SK 海力士提议的每颗约 560 美元。一位 SK 海力士高管表示，考虑到工艺进步和投入成本，HBM4 具备大幅提价的因素。

利润率维持高位

完成价格谈判后，SK 海力士近期向机构投资者表示，高营业利润率将在明年持续。据媒体报道，该公司称 " 符合英伟达规格的产品价格和数量已确定，正在维持 ' 当前盈利能力 '"。

这意味着即使三星电子和美光进入 HBM4 市场，也不会对 SK 海力士的业绩产生不利影响。

业界估算 SK 海力士的 HBM4 利润率约为 60%。市场预计该公司明年 HBM 销售额约为 40 万亿至 42 万亿韩元。若维持与今年相同的利润率，SK 海力士仅 HBM 业务就将产生约 25 万亿韩元营业利润。

随着明年下半年从主力供应产品 HBM3E 转向 HBM4，该公司 HBM 业务整体表现预计较今年 ( 销售额约 30 万亿韩元，营业利润 17 万亿韩元 ) 增长 40% 至 50%。

SK 海力士在近期投资者关系会议中向机构投资者预测，高营业利润率趋势将延续至明年。该公司强调，已锁定符合英伟达规格产品的价格和供应量。

通用型 DRAM 价格同步飙升，助力创纪录业绩！

SK 海力士的业绩前景不仅依赖 HBM4。在全球 AI 基础设施投资热潮推动下，图形双倍数据速率 ( GDDR ) 和低功耗 DDR 等通用型 DRAM 价格也在飙升。

据 DRAMeXchange 数据，DDR4 固定交易价格 9 月突破 7 美元，创 6 年 10 个月来新高。这是因为近年主要存储芯片企业集中扩充 HBM 产线，导致通用型 DRAM 供应瓶颈蔓延。

分析显示，随着 DRAM 价格上涨，SK 海力士明年通用型 DRAM 营业利润率也可能接近 50% 至 60%。一位业内人士表示，" 随着推理 AI 市场快速扩张，存储芯片供应短期内无法跟上需求 "，并补充称 "SK 海力士在产品生产前就已售罄明年产能，因此将维持高利润率 "。

综合 HBM4 的高利润率和通用型 DRAM 价格上涨因素，市场预测 SK 海力士明年营业利润有望超过 70 万亿韩元。这一预期建立在该公司已确保 HBM4 盈利能力的基础上。