证券之星 10-01
扬杰科技获得实用新型专利授权:“具有分裂栅结构的SiCMOSFET器件”
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证券之星消息,根据天眼查 APP 数据显示扬杰科技(300373)新获得一项实用新型专利授权,专利名为 " 具有分裂栅结构的 SiCMOSFET 器件 ",专利申请号为 CN202422576212.6,授权日为 2025 年 9 月 16 日。

专利摘要:具有分裂栅结构的 SiC MOSFET 器件,包括从下而上依次设置为 N+ 衬底层、N ‑外延层、栅氧化层、Poly 层、隔离介质层和正面电极金属层;所述 N ‑外延层内设有:P ‑ body 区,设有一对,分别从所述 N ‑外延层的顶面向下延伸;第一 N+ 区,从所述 P ‑ body 区顶面向下延伸;第一 P+ 区,从所述 P ‑ body 区顶面向下延伸,并与所述第一 N+ 区的侧部连接;第二 P+ 区,沿所述 P ‑ body 区的内侧向下延伸至 P ‑ body 区的下方,将所述 P ‑ body 区的内侧拐角处包裹;第二 N+ 区,从所述第二 P+ 区的顶部向下延伸,与所述 P ‑ body 区相连;所述栅氧化层的底面分别与第一 N+ 区、P ‑ body 区和第二 N+ 区连接;所述 Poly 层设置在栅氧化层的顶面;本实用新型在一定程度上可提高器件的开关性能,降低开关损耗。

今年以来扬杰科技新获得专利授权 76 个,较去年同期增加了 10.14%。结合公司 2025 年中报财务数据,今年上半年公司在研发方面投入了 2.2 亿元,同比增 11.74%。

通过天眼查大数据分析,扬州扬杰电子科技股份有限公司共对外投资了 28 家企业,参与招投标项目 188 次;财产线索方面有商标信息 6 条,专利信息 754 条,著作权信息 5 条;此外企业还拥有行政许可 233 个。

数据来源:天眼查 APP

以上内容为证券之星据公开信息整理,由 AI 算法生成(网信算备 310104345710301240019 号),不构成投资建议。

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