快科技 9 月 26 日消息，据报道，中国 NAND 闪存大厂长江存储传出将进军 DRAM 市场的消息，计划研发包括 HBM 在内的 DRAM 产品。

HBM 是一种用于生产 AI 芯片的关键技术，目前主要由美国美光、韩国 SK 海力士和三星主导生产，长鑫存储目前也在推进研发 HBM。

消息人士透露，为了生产 HBM，长江存储已经开始研发用于堆叠 DRAM 的硅穿孔（TSV）技术，并且新工厂部分可能会转为生产 DRAM。

这一计划的曝光，使得美国 DRAM 大厂美光的股价在 9 月 25 日重挫 3.02%，收于 156.83 美元。

长江存储在 2022 年被美国列入贸易黑名单 " 实体清单 "，这可能对其研发和市场拓展带来一定挑战。

根据 Counterpoint Research 24 日的最新报告，2025 年第二季度（4-6 月），SK 海力士凭借其在 HBM 领域的领先地位，占据了全球 HBM 市场 62% 的份额，稳居全球最大 HBM 供应商。

美光以 21% 的市场份额首次超越三星，成为全球第二大 HBM 供应商，而三星的市场份额则降至 17%，位居第三。