快科技 6 月 29 日消息，全球最大半导体设备龙头 ASML 已着手研发下一代 Hyper NA EUV 先进光刻机，为未来十年的芯片产业做准备。

Jos Benschop 表示，ASML 及独家光学合作伙伴蔡司（Carl Zeiss）正在研究可在单次曝光中印刷出分辨率精细到 5nm 的 EUV 光刻机，可满足 2035 年之后的制程需求。

据悉，ASML 目前出货的最先进光刻机，可达到单次曝光 8nm 分辨率。 而之前老旧光刻机必须多次曝光才能达到类似分辨率，不仅效率较低，而且良率也有限。

Benschop 指出，ASML 正与蔡司进行设计研究，目标是实现数值孔径（NA）0.7 或以上，目前尚未设定具体上市时间表。

数值孔径（NA）是衡量光学系统收集与聚焦光线能力的关键指标，也是决定电路图样能否精细投影到晶圆上的关键因素。 当 NA 越大、光波长越短，印刷分辨率就越高。

目前标准 EUV 光刻机的 NA 为 0.33，最新一代 High NA EUV 则提升至 0.55。 当下，ASML 正朝向 NA 0.7 或超高 NA（Hyper NA）迈进。