证券之星消息，根据天眼查 APP 数据显示扬杰科技（300373）新获得一项实用新型专利授权，专利名为 " 一种 SiCVDMOSFET 器件 "，专利申请号为 CN202422072724.9，授权日为 2025 年 6 月 10 日。

专利摘要：一种 SiC VDMOSFET 器件，涉及半导体技术领域。本实用新型向器件栅极中间底部的 SiC Drift 层离子注入形成重掺杂的 PP 区，并在 PP 区的顶面通过制备实现欧姆接触，使栅极 Poly 层与 PP 区相连接。在栅极 Poly 层受驱动电压时，PP 区可以释放一部分栅极驱动电压应力，从而减轻对栅氧化层的电压应力，保护了栅氧化层，而在器件阻断过程中，PP 区由于处于栅极底部，又可以屏蔽漏极电压产生的电场集中，再次保护了栅氧化层。

今年以来扬杰科技新获得专利授权 55 个，较去年同期增加了 41.03%。结合公司 2024 年年报财务数据，2024 年公司在研发方面投入了 4.23 亿元，同比增 19%。

数据来源：天眼查 APP

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