证券之星 4小时前
扬杰科技获得实用新型专利授权:“降低寄生电容的SiCMOSFET器件”
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证券之星消息,根据天眼查 APP 数据显示扬杰科技(300373)新获得一项实用新型专利授权,专利名为 " 降低寄生电容的 SiCMOSFET 器件 ",专利申请号为 CN202421473377.4,授权日为 2025 年 4 月 4 日。

专利摘要:降低寄生电容的 SiC MOSFET 器件,涉及半导体技术领域。在 SiC MOSFET 器件中,通过将器件中隔离栅极和源级的氧化物介质层采用独特的布局,在不影响器件性能和正常使用的前提下加厚了氧化物介质层厚度,降低栅极与源级之间的寄生电容,改善了 SiC MOSFET 器件的开关特性。

今年以来扬杰科技新获得专利授权 27 个,较去年同期增加了 17.39%。结合公司 2024 年年报财务数据,2024 年公司在研发方面投入了 4.23 亿元,同比增 19%。

数据来源:天眼查 APP

以上内容为证券之星据公开信息整理,由智能算法生成(网信算备 310104345710301240019 号),不构成投资建议。

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