存储作为现代信息技术的核心组成部分，涵盖了从个人设备到数据中心的各种应用场景。随着人工智能、云计算等技术的快速发展，市场对存储性能的需求持续攀升。DDR5 作为最新一代动态随机存取存储器（DRAM），凭借在数据传输速率、带宽和能效等方面的优势，成为了高性能的理想方案选择。

DDR5 内存的高性能也带来了更复杂的供电挑战。相较于传统 DDR4，DDR5 采用多通道设计且高频负载波动较大，对电压精度要求极高，并且需要实时动态调节电源输出。因此，为了实现最佳性能，DDR5 内存模块首次将电源管理 IC（PMIC）集成到了内存条上，以确保内存模块在高负载下的稳定运行。

近日，在 2025 闪存市场峰会（CFMS）上，国家级专精特新 " 小巨人 " 企业思远半导体携一系列存储电源管理 PMIC 芯片及高精度温度传感器芯片亮相，其中包括了纯国产研发并率先量产的 DDR5 PMIC。该产品打破了国际厂商的长期垄断，为 DDR5 的全产业链国产化迈出了关键一步，引领了市场发展，推动了国内存储器产业链的完善和自主可控能力的提升。

抓住 AI 变革的市场机遇，突破垄断，推动国内存储产业链完善

在产品体验不断升级，AI 技术驱动行业变革的背景下，无论是消费端还是企业端，市场对高算力的需求都在持续攀升。因此，作为新一代 DRAM 技术的 DDR5，将在未来几年逐渐成为市场主流并完全取代 DDR4。面对这一趋势，国内外存储芯片厂商纷纷加大研发投入，而电源管理芯片作为保障 DDR5 内存稳定运行的关键组件，其市场需求也将随之迎来快速增长。

过去 DDR5 PMIC 市场主要由国际大厂主导，但在当前全球供应链不确定性增加以及国产化替代加速的背景下，迫切需要国内厂商突破国际大厂的垄断地位，为国内存储芯片厂商提供高性能且自主可控的电源管理芯片，以满足市场需求，避免因国际限制或供应链中断带来的潜在风险。

思远半导体作为深耕电源管理芯片领域十余年的厂商，基于深厚的技术积累和创新能力，抓住市场机遇，适时推出 DDR5 PMIC 方案，凭借着高效率、高功率、高集成度等优势，为 DDR5 内存提供稳定、高效的电源管理支持。同时，通过全链路本土化战略，有效降低了供应链风险，推动国产存储产业链迈向高端化与自主可控。

深耕电源管理领域十余年，人才、技术与供应链优势显著

作为在电源管理领域拥有十余年深厚技术积累的企业，思远半导体的 DDR5 PMIC 方案在多个方面展现出强大优势，能够为客户的产品性能、稳定性和出货效率提供有力保障。

紧跟国际步伐，综合市场优势：思远半导体在 DDR5 PMIC 的研发过程中，紧跟欧美厂商步伐，综合现有产品优势，实现性能和功能的显著提升。例如，思远半导体 DDR5 PMIC 支持多路输出，满足高频运行需求，电压调节精度和动态响应速度表现出色，确保内存模块高负载下的稳定性。

低功耗电源管理芯片领域深厚的技术积累：思远半导体专注于高性能模拟芯片和数模混合信号 SoC 芯片的设计，积累了丰富的研发经验和技术创新能力。切换到存储 PMIC 领域，使得思远半导体能够快速响应市场需求，推出符合 DDR5 内存模块高精度电压调节和低功耗要求的方案。

专业的团队实力：思远半导体在电源管理芯片领域拥有深厚的技术积累和人才储备，同时通过引入存储领域的专业人士，进一步增强公司在技术创新和产品研发方面的实力，为存储电源管理芯片的突破提供了强有力的支持。

强大的上下游合作伙伴关系：思远半导体凭借在电源管理芯片领域十余年的深耕，与上下游合作伙伴建立了紧密的合作关系，能够快速响应市场需求，满足客户多样化的需求。

全链路本土化，避免供应链风险：在当前全球半导体产业竞争加剧和供应链不确定性增加的背景下，思远半导体在晶圆代工、封装测试等环节实现了全链路本土化，有效降低供应链风险，确保产品供应的稳定性和可靠性。

目前，思远半导体的 DDR5 PMIC 方案已在消费级市场实现量产，并成功导入了国内头部存储模组厂商及台湾地区客户，获得了积极反馈。企业级产品也在规划中，预计将在 2025 年年底推出。

以引领市场发展为己任，以行业第一为目标

作为专注高性能模拟芯片、数模混合信号 SoC 芯片设计的企业，思远半导体通过与客户的紧密合作，及时捕捉市场需求并解决客户痛点；通过以大厂标准严格要求自身，持续投入研发，不断提升产品性能；通过与供应商的长期合作，确保产能的稳定，有效规避市场波动带来的风险。这种贴近客户的合作模式、严格的产品标准及牢靠的供应链体系，使其相继在移动电源、TWS 耳机、智能穿戴等市场做到了行业领先。

此次进入存储领域，思远半导体依然以引领市场发展为己任，致力于再次做到行业第一。未来规划上，思远半导体会基于 DDR5 的性能需求，持续推出符合要求的高品质方案。同时，作为 JEDEC 协会的成员，思远半导体能够第一时间获取最新的标准架构信息，并及时开展相关研发工作，确保其技术和产品始终与国际标准同步，持续为客户提供前沿且可靠的存储电源管理解决方案。

超频性能与稳定供电双突破，助力DDR5 内存高效、稳定运行

目前，思远半导体已推出了 SY5888、  SY5887 两款 DDR5 PMIC 方案，实现了超频性能与稳定供电的双突破。

思远半导体 SY5888 用于 DDR5 SODIMM 和 UDIMM 的 PMIC，集成 3 个高效降压 DC-DC 转换器 SWA/SWB/SWC 和两个 LDO。支持内存条超频至 8000Mbps 以上。两个 LDO 为：VOUT1_1.8V / VOUT2_1.0V，分别给 SPD 集线器和温度传感器供电。

思远半导体 SY5888 提供 FC-QFN-28 ( 3mmx4mm ) 封装，无卤无铅，符合 RoHS 标准。

思远半导体 SY5887 用于 DDR5 SODIMM 和 UDIMM 的 PMIC，满足 JESD301-2 V1.0.3 规范，集成 3 个高效降压 DC-DC 转换器 SWA/SWB/SWC 和两个 LDO。两个 LDO VOUT1_1.8V/VOUT2_1.0V 分别给 SPD 集线器和温度传感器供电。

思远半导体 SY5887 提供 FC-QFN-28 ( 3mmx4mm ) 封装，无卤无铅，符合 RoHS 标准。

提供完整的存储相关解决方案，满足市场多样化需求

除了 DDR5 PMIC，思远半导体还推出了 SSD、智能终端 PMIC，高精度温度传感器等产品，提供针对存储市场的完整解决方案。这些方案在性能、功耗和可靠性方面均表现出色，为存储市场的多样化需求提供了全面支持。

思远半导体 SY5881 是一款针对固态硬盘、穿戴设备、移动设备及嵌入式计算平台应用的电源管理芯片。SY5881 功率部分集成四个 DC-DC 转换器和两个 LDO，可以最小化外部元件，从而简化有限的 PCB 布局。DC-DC 转换器具有高精度、高效率和高灵活性。

思远半导体 SY5881 采用 I2C 接口对芯片寄存器操作，并有 8 个 GPIO 可以灵活配置芯片的基础功能。SY5881 集成输出过流、输出过压、输出欠压、短路、输入过压和过温等故障保护。无卤无铅，符合 RoHS 标准，WLCSP-36 ( 2.4 mm x2.4 mm ) 封装。

思远半导体 SY5882 是一款针对固态硬盘、穿戴设备、移动设备及嵌入式计算平台应用的电源管理芯片。SY5882 功率部分集成三个 DC-DC 转换器和两个 LDO，采用 FCQFN 3mm*3mm 封装，增加散热性能。

思远半导体 SY5882 通过 I2C 接口对芯片寄存器操作及 3 个可灵活配置的 GPIO。SY5882 集成输出过流、输出过压、输出欠压、短路、输入过压和过温等故障保护。无卤无铅，符合 RoHS 标准。

思远半导体 TS5110 是一款高精度数字温度计传感器。采用 6 脚 CSP 封装 ( 0.85mmx1.35mm ) ，完全符合 JEDEC JESD302-1 标准。在 -40 ° C 至 +125 ° C 工作温度范围内，TS5110 提供 +/-0.25 ° C 典型精度。

思远半导体 TS5110 可在 1.0V I3C 总线上达到 12.5MHz 传输速度，或在 1.0V 至 1.2V I2C 总线上达到 1MHz 传输速度。当设备配置于 I3C 模式，支持带内中断及奇偶校验跟包检验。