快科技 2 月 27 日消息，见证历史的时刻！全球第一的存储巨头三星，居然购买中国长江存储的专利技术，来打造未来产品，而在拿到授权的第一时间，三星就宣布了基于相关技术的成果：400 多层堆叠的第十代 V-NAND 闪存。

和众多传统闪存厂商一样，三星也是一直将 CMOS 控制电路放在存储阵列之下，在同一块晶圆上制造，而随着堆叠层数、存储密度的急剧增加，这种架构越来越难以推进。

长江存储的 Xtacking 晶栈架构则是在两块晶圆上分别制造控制电路、存储阵列，然后键合在一起，制造难度和成本大大降低，也有利于持续升级。

三星的第十代 V-NAND，就将引入这种设计。

铠侠 / 闪迪的闪存从第八代到日前刚发布的第十代，也是类似架构。

长江存储晶栈架构

铠侠最新架构

三星第十代 V-NAND 将堆叠超过 400 层 ( 具体数字未公开 ) ，夺回世界第一，超过开下刚刚创记录的 332 层。

首发 TLC，单 Die 容量 1Tb ( 128GB ) ，存储密度每平方毫米 28Gb，略低于三星 1Tb QLC 颗粒的平方毫米 28.5Gb，也远不如铠侠第十代的大约每平方毫米 36.4Gb，因为密度不是三星的首要目标，层数才是。

接口传输速度倒是领先，达到了 5600MT/s，也就是 700MB/s。

因此，只需 10 颗芯片就能吃满 PCIe 4.0 x4，20 颗吃满 PCIe 5.0 x4，32 颗就能吃满 PCIe 6.0 x4。

事实上，大多数 NAND 闪存芯片都是 8 颗或者 16 颗 Die 封装而成，因此 16 颗就能做到单颗芯片 2TB，M.2 SSD 单面能做到 8TB，双面可达 16TB。

当然，因为兼容性问题，双面的并不多见。

按照三星的规划，2030 年左右将做到 1000 层堆叠！