据 TomsHardware报道，三星在最近的 ISSCC 2025 上展示了即将发布第 10 代 V-NAND 闪存，不仅拥有创纪录的有源层数和突破性的性能，而且还首次将 COP（Cell-on-Periphery）结构和混合键合技术结合。

三星展示的第 10 代 V-NAND 属于 1Tb 的 TLC 闪存，总层数超过了 400 层，预计达到 420 层至 430 层，接口速度达 5.6Gbps，大约是 700 MB/s。同时位密度超过了 28 Gb/mm ²，仅略低于自家的 1Tb 3D QLC V-NAND 闪存，后者的密度为 28.5 Gb/mm ²，是目前世界上密度最高的非易失性存储器。位密度很可能不是三星这款新产品的主要目标，关键在于创纪录的有源层数，另外就是 COP 结构和混合键合技术的结合。

三星在之前的 NAND 闪存里采用了 COP 结构，将外围电路放在一块晶圆上，然后单元堆叠在上面，不过当层数超过 400 层时，下层外围电路的压力会影响可靠性。传闻三星将采用长江存储的专利混合键合技术，消除了对凸块的需求，缩短了电路，从而提高了性能和散热性。

目前的 NAND 芯片通常每个封装里包含 8 个或 16 个模块，也就是说单 NAND 芯片装入 16 个模块就能提供 2TB 容量，四个 NAND 芯片提供 8TB 容量，双面 M.2 2280 SSD 就能翻倍至 16TB。不过三星近年来都没有发布双面 SSD，主要问题在于这样的设计与绝大部分笔记本电脑不兼容。按照第 10 代 V-NAND 闪存的接口速度，意味着大概 10 个模块就能够让 PCIe 4.0 x4 接口的速度饱和，20 个就能满足 PCIe 5.0 x4 接口的速度，普通单面 SSD 的速度就达到了 PCIe 6.0 x4 接口的一半。

毫无疑问，第 10 代 V-NAND 闪存的带宽和容量将在三星下一代存储设备中发挥关键作用。