证券之星消息，根据天眼查 APP 数据显示宏微科技（688711）新获得一项发明专利授权，专利名为 " 一种二极管及其制作方法 "，专利申请号为 CN202011554045.5，授权日为 2025 年 2 月 25 日。

专利摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种二极管及其制作方法，所述二极管包括 N 基体、有源区 P+ 层和多个 mos 结构，N 基体上形成有有源区 P+ 层，有源区 P+ 层内设有多个 mos 结构，有源区 P+ 层上设有阳极金属，mos 结构包括沟槽，沟槽内形成有栅氧化层和多晶硅，沟槽外设有与阳极金属电连接的 N+ 层，沟槽上设有绝缘介质层以隔开多晶硅和阳极金属，当二极管施加反向电压增大时，多晶硅施加开启电压，沟槽外形成导电沟道，导电沟道与二极管内的空间电荷区连接，二极管内形成反向电流。本发明提供的一种二极管，能够在一定反向电压范围内具有特定反向电流能力，并且该二极管的雪崩耐量能力远远超过普通二极管。

今年以来宏微科技新获得专利授权 1 个，与去年同期持平。结合公司 2024 年中报财务数据，2024 上半年公司在研发方面投入了 5390.84 万元，同比增 6.78%。

数据来源：天眼查 APP

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