近日西部数据举行了公司的投资者日，宣布了未来的愿景和战略，NAND 闪存业务的剥离计划预计将于 2025 年 2 月 21 日完成。未来西部数据 SSD 产品线将转向 SanDisk（闪迪），后者也简单地介绍了今年即将推出的新款 SSD 产品和技术，特别是高带宽闪存 HBF，令人耳目一新。

据 TrendForce报道，SanDisk 和铠侠（Kioxia）组成的 NAND 闪存合资企业占据了 2024 年第三季度全球 NAND 闪存位产量的三分之一，不同的是，铠侠的目标是在 2025 年提高 218 层 NAND 闪存的产量，而 SanDisk 仍然在优化 112/162 层 NAND 闪存的生产，以实现收入最大化。SanDisk 正在推进 BiCS9 FLASH 3D 闪存技术，率先会带来 1Tb TLC 芯片，将超过 300 层。

SanDisk 表示，2025 年将推出三款 SSD，均采用了 218 层的 BiCS8 FLASH 3D 闪存技术。首先是基于 QLC 的 PC SN5100S，采用 PCIe 4.0 × 4 接口，提供了 512GB、1TB 和 2TB 三种容量，可选 M.2 2230 外形规格；其次是基于 TLC 的 PCIe 5.0 SSD，连续读写速度可达 14500 MB/s 和 14000 MB/s，M.2 2280 外形规格，提供了 512GB、1TB、2TB 和 4TB 四种容量，功耗保持在 7W 的水平，预计 2025 年第二季度出货；最后是面向数据中心市场的 DC SN670，搭载了 SanDisk 独有的 UltraQLC 技术，支持 PCIe 5.0 标准，提供了 122.88TB 和 61.44TB 两种容量。

高带宽闪存 HBF 是 SanDisk 经过带宽优化的 NAND 产品，设计思路类似于 HBM，以大量 I/O 引脚和多层堆叠结合，相当于高带宽 NAND 闪存。事实上，HBF 与 HBM 共享了电气接口，带宽也相接近，不过适配的介质从 DRAM 切换至 NAND，协议略有变化，所以不完全兼容。

SanDisk 透露，HBF 实现了 8 层到 16 层堆叠，可以部分替换 HBM，通过逻辑芯片和中介层连接到 GPU/CPU/TPU，能够提供 HBF+HBM 的自定义组合产品。SanDisk 的想法已经得到了业界的关注，如果未来三星、SK 海力士和美光能够支持，有可能演变称接近存储级的内存。