今年 4 月，台积电（TSMC）宣布与美国商务部签署了一份不具约束力的初步条款备忘录（PMT），后者将根据《芯片法案》向前者提供约 66 亿美元的直接拨款，另外初步提供最高 55 亿美元的贷款。台积电还计划就亚利桑那州工厂资本支出中符合条件的部分，向美国财政部申请最高 25% 的投资税收抵免。

据 TomsHardware报道，台积电和美国商务部已敲定了亚利桑那州新建 Fab 21 项目的款项，预计会有 66 亿美元直接拨款和 50 亿美元的贷款，以支持整个园区大概 650 亿美元的建设支出，其中将兴建三个晶圆厂，预计在本十年末期完工。整个项目将创造 6000 多个直接制造工作岗位，以及超过 20000 个累计的建筑工作岗位。

根据美国政府最新公布的 Fab 21 项目制程工艺路线安排，Fab 21 将引入 A16 和 N2 系列（N2、N2P 和 N2X）工艺，以生产最新的芯片。不过比起中国台湾的晶圆厂量产时间要晚大概三年，大概会在 2029 年末。台积电在 2nm 制程节点将引入 GAA 晶体管架构，有望显著降低功耗，提高性能和晶体管密度，带来质的改变。之前有消息称，过去几年一直困扰的 SRAM 单元缩减问题似乎也看到了曙光。

Fab 21 项目的一期工程初期投入 120 亿美元，选择了 4/5nm 工艺的生产线，目前进展良好，已进行了试产，计划在 2025 年上半年投产；二期工程原计划选择 3nm 工艺的生产线，现在将推进至 2nm 工艺，预计在 2028 年投产，前两期工程加起来的总产能为每月 5 万片晶圆；新增三期工程将采用 2nm 或更先进的制程技术，预计 2030 年之前投产。