三星在 2013 年推出了第一款量产的 3D NAND 存储器，称为 V-NAND，并因此领先于竞争对手。三星是从 24 层 V-NAND 开始，逐渐积累了丰富的经验，目前最新量产的是第 9 代 V-NAND，层数达到了 290 层。

据 TrendForce报道，随着人工智能（AI）的蓬勃发展，市场除了 HBM 这类高带宽存储器，也需要更多层数的 NAND 闪存，这是大型数据中心大容量 SSD 的理想选择，而三星的目标是 2026 年推出 400 层垂直堆叠的 NAND 闪存，以便在激烈的市场竞争中占据领先位置。

目前存储行业似乎已进入 " 层层堆叠 " 的激烈竞争当中，三星的主要竞争对手包括了 SK 海力士和铠侠等。其中 SK 海力士也在开发 400 层的 NAND 闪存，目标是在 2025 年年底做好大规模生产的准备。三星的时间表其实差不多，大概在 2026 年初。

在传统的 NAND 闪存芯片中，存储单元堆叠在外围电路上方，外围电路充当芯片的大脑。然而当层数超过 300 层时，堆叠经常会损坏外围设备。为了解决这一问题，三星正在开发第 10 代 V-NAND 技术，打算使用一种创新的键合技术，将存储单元和外围电路分别在不同的晶圆上制造，然后再结合在一起。这种方法有望解决存储容量提升及散热效率问题，预计单位面积的位密度将提高 1.6 倍。

据了解，三星计划 2027 年带来第 11 代 V-NAND 技术，数据传输速度将提高 50%，到 2030 年，V-NAND 的层将超过 1000 层。